神操作！如何快速读写MCU内部flash？
时间：2021-09-26 13:38:33
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[导读]大家好，今天和大家分享一下STM32F103C8T6读写内部flash，关于103系列的单片机大家可以参考选项手册查看flash的容量。一、芯片FLASH容量分类：可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64K的，网上也有人说它可以支持到128K，但是官方给出的解释是前6...
大家好，今天和大家分享一下STM32F103C8T6读写内部flash，关于103系列的单片机大家可以参考选项手册查看flash的容量。
一、芯片FLASH容量分类：
可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64K的，网上也有人说它可以支持到128K，但是官方给出的解释是前64K是有保证的，后面的无法保证，所以想要使用的小伙伴需要慎重。
现在芯片的flash大小我们知道了，下面就可以看看这个flash是怎么划分的了，通过芯片数据手册，我们能看到今天说的STM32F103C8T6是属于中等容量的设备。
既然是中等容量的设备了，那我们就来看看flash划分吧，在STM32的闪存编程手册中有这样一段话：按照不同容量，存储器组织成：
32个1K字节/页(小容量)128个1K字节/页(中容量)256个2K字节/页(大容量)
这段话怎么理解呢，就是告诉我们小容量的设备（内存是6K和32K）的设备是由1K字节每页组成的。
中容量的设备（内存是64K和128K）的设备是由1K字节每页组成的。大容量的设备（内存是256K、384K和512K）的设备是由2K字节每页组成的。
举个例子吧：
一个芯片的存储容量是64K，这64K是什么呢，就是64*1024个BYTE，一个BYTE是由8位0或1组成的，（比如0000 1111 这8个二进制数组成了一个字节，用十进制来说就是15）
小结一下：64K的flash可以存储64*1024个字节的数据。
咱们继续说，这64K的数据怎么划分，存储是按照页为单位进行存储的，一页1K的容量，也就说一页可以存储1024个字节。
一共是多少页？
答案是：64页，我们看一下官方是不是这么说的。
在闪存编程手册里确实是这么说的，所以我们刚才说是64页是正确的
二、 读写步骤：
上面我们知道了芯片是怎么分类的，下面我们就重点来讲解一下芯片是怎么读写的。
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准库，有兴趣的小伙伴可以去看看HAL库。
是不是有小伙伴会疑问什么是标准库，什么是HAL库？
在这里给大家解释一下，这两个库都是ST公司，直接把寄存器封装成函数，供大家直接调用某一个函数，就可以完成各种寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便阅读和使用，因为每个函数的名称功能都是不一样的，在调用前可以参考函数的注释，在F0和F4的标准库里甚至有每个函数的用法，不知道为什么在F1的库里把使用步骤去掉了。
咱们继续，读写的话库函数分为：
/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);void FLASH_Unlock(void);void FLASH_Lock(void);FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_UnlockBank1(void);void FLASH_LockBank1(void);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t Timeout);在这里就不一个一个的详细说了，我们说一下常用的就行
1. 解锁void FLASH_Unlock(void);
2. 上锁void FLASH_Lock(void);
3. 页擦除FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
4. 半字写入FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
上面这4个函数就是我们最常用的。
下面说一下数据写入的步骤：
第一步：解锁。
第二步：判断写入的数据是否被擦除过，也就是判断写入的地址内存放的是不是0xFFFF 这里要重点说一下，为什么要判断是不是0xFFFF而不是判断是不是0xFF呢？因为我们每次写入数据都要写入半字，也就是两个字节的数据才行，而且写入的地址只能是2的整数倍，不能是奇数。这里大家注意一下。
第三步：写入数据 STM32F103C8T6只能按照半字的方式进行数据写入，写入前的数据必须是0XFFFF，因为FLASH数据写入，只能写0，不能写1，这也就是为什么我们要先确保写入前的数据是被擦除了的原因。
第四步：上锁。
第五步：验证写入是否正确。
其实第五步可以省略。
我们看看官方给的写入过程：
好了，其实是一样的。下面我就和大家来分享一下（百分之九十九参考的正点原子的例程）。
//不检查的写入//WriteAddr:起始地址//pBuffer:数据指针//NumToWrite:半字(16位)数 void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u16 i; for(i=0;i { FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer); WriteAddr =2;//地址增加2. } }//从指定地址开始写入指定长度的数据//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)//pBuffer:数据指针//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u32 secpos; //扇区地址 u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算) u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算) u16 i; u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址 if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE 1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 FLASH_Unlock(); //解锁 offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址. secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6 secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.) secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小 if(NumToWrite<=secremain) { secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围 } while(1) { STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE) STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容 for(i=0;i//校验数据 // for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i )//校验数据 { if(STMFLASH_BUF[secoff i]!=0XFFFF)break;//需要擦除 // if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除 } FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); if(i//需要擦除 // if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除 { FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区 for(i=0;i//复制 { STMFLASH_BUF[i secoff]=pBuffer; } STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了 else//写入未结束 { secpos ; //扇区地址增1 secoff=0; //偏移位置为0 pBuffer =secremain; //指针偏移 WriteAddr =（secremain*2）; //写地址偏移 NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减 if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2)) { secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完 } else { secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了 } } } FLASH_Lock();//上锁}最终我们调用STMFLASH_Write（）函数进行数据的写入，是不是有没看懂的小伙伴，我给大家解释一下写入的过程吧。
这个STMFLASH_Write（）函数，是说给定一个写入的地址、数据和写入的个数，然后按照给定的地址开始写数据，注意红色字体。
写数据是怎么做的呢？
首先是整理一下写入的页地址和需要写入多少页，每一页写入的话起始地址是什么然后开始一页一页的写，当遇到跨页写入的时候，把第二页的地址写进去，写的个数继续写入就行。
还有一个地方很重要，就是我修改了库函数：
/** * [url=home.php?mod=space 
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