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[导读]来源:本文转载自工商时报。护岛神山出决胜新武器。台积电先进制程晶圆厂根留台湾,其中2纳米Fab20超大型晶圆厂已选定建厂地点为新竹宝山,2纳米之后的更先进制程已进入埃米(angstorm)时代,预期台积电将推进到18埃米(1.8纳米),虽然尚未决定设厂地点,但据设备业者指出,台积...

来源:本文转载自工商时报。


护岛神山出决胜新武器。台积电先进制程晶圆厂根留台湾,其中2纳米Fab 20超大型晶圆厂已选定建厂地点为新竹宝山,2纳米之后的更先进制程已进入埃米(angstorm)时代,预期台积电将推进到18埃米(1.8纳米),虽然尚未决定设厂地点,但据设备业者指出,台积电18埃米先进制程晶圆厂可望落脚台中,现在中科Fab 15厂旁的高尔夫球场已被纳入考虑。
随著半导体制程将于2024年进入埃米时代,台积电的建厂动向受到业界及市场瞩目,市场传出台积电下一座先进制程晶圆厂可望落脚台中,现在中科Fab 15厂旁的兴农高尔夫球场及军方用地已纳入考虑,台积电若取得用地,将用于建置2奈米以下先进制程的超大型晶圆厂区,并分为第一期到第四期建厂计划,等于会在当地兴建4座12吋晶圆厂。
台积电表示,设厂地点选择有诸多考量因素,台积公司以台湾作为主要基地,不排除任何可能性,维持过去扩厂步调持续与管理局合作评估适合半导体建厂之用地,包含新竹、台中及高雄。目前尚无具体定案,一切以公司对外公告为主。
台积电已确认的先进制程晶圆厂建厂计画,包括南科Fab 18超大型晶圆厂(GigaFab)将建置P1~P4共4座5纳米晶圆厂,P5~P8共4座3纳米晶圆厂。其中P1~P3厂已进入量产,P4~P6厂正在兴建中,未来将再扩建P7~P8厂。另外,南科Fab 14超大型晶圆厂将扩建P8厂为特殊制程生产基地。
台积电竹科Fab 12超大型晶圆厂将扩建P8~P9厂为研发中心,P8厂将在今年完成。台积电预计在竹科宝山兴建Fab 20超大型晶圆厂,将在完成土地取得后启动建厂计划,未来将成为2纳米生产重镇。
台积电Fab 20厂区将分为第一期到第四期、共兴建4座12吋晶圆厂,预计2024年下半年进入量产。台积电2纳米制程将采用纳米层片(Nanosheet)的环绕闸极(GAA)晶体管架构,技术开发进度符合预期。
设备业者表示,台积电2纳米之后的先进制程节点,将推进到1.8纳米(18埃米),预计2026~2027年进入量产。台积电先进制程晶圆厂根留台湾,但适合建厂地点并不好找,而位于台积电中科Fab 15厂区旁的高尔夫球场及周边军方用地已纳入考虑,倘若环评通过并顺利取得用地,台积电可能会在当地兴建18埃米先进制程晶圆厂。

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