UnitedSiC新款SiC FET

新能源汽车EV具有约为59%-62%的转换效率，而且依然有提升的潜力。而我们的内燃机正在为努力达到21%的效率抓破了头。但至少有一个可能的路线能够提高电动汽车的性能，就是采用新型半导体开关用于动力传动系统。要实现更高的效率，关键是功率转换效率。这些难题似乎已被IGBT攻克，然而随着技术的更新，在许多应用中IGBT已经被碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料制造的宽带隙(WBG)半导体技术所取代。

新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET——UF3SC。据介绍，该产品的RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中，一款产品额定电压值为650V，RDS(on)为7 mΩ，另外三款电压额定值为1200V，RDS(on)分别为9和16 mΩ。

UnitedSiC工程师表示，与Si器件相比，SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。此外，基于卓越的电阻特性，能量损耗可降低70-90%。 因此可以大大改善系统上的散热。由于SiC可承受更高的温度，即可实现更高的集成。这将会满足未来客户对系统体积小型化，轻量化的诉求。其中，出色的二极管特性使得Vf仅为2V，与传统的SiC MOSFET 3.5V相比提高了不少，从而大大降低了二极管的损耗。