高通基带芯片面临Intel的强大竞争压力！

根据国外媒体 TheStreet 报导，在几乎垄断 4G LTE 与 3G EV-DO 基频芯片市场的大厂高通(Qualcomm)，过去所采用的 IP 授权手段，以限制其他竞争对手介入市场的手法，目前已开始遭到包括苹果(Apple)等厂商的反弹后，这也使得竞争对手包括英特尔与三星，陆续推出新的芯片。这对近来面临诉讼困境的高通而言，又可能要造成更大的冲击。

报导指出，英特尔日前宣布推出名为 XMM 7560 的 2G / 3G / 4G 基频芯片，可支持最大 1Gbps 下载与 225 Mbps上传速度。XMM 7560 采用英特尔 14 纳米制程，比起前一代采 28 纳米制程的 XMM 7480，以及部分 iPhone 7 / 7 Plus 所使用的 XMM 7360 更加先进。除了最大下载速度外，在XMM 7560 的多重载波聚合性能上也有大幅的提升。

XMM 7560 是第一个可支持 3G EV-DO 网络的英特尔基频芯片。目前，包括 Verizon、Sprint、中国电信等多家电信厂商都仍在使用 3G EV-DO 网络。由此看来，XMM7560 很有机会协助英特尔，从高通手中抢下更多苹果 iPhone 智能手机市场。

市场分析机构 Susquehanna 预测，如果苹果降低对高通芯片的依赖，进而全面采用英特尔芯片，那么高通将可能损失 10 到 14 亿美元的年营收。而基频芯片平均价格较低的英特尔，则有机会取得 800 万至 1 1亿美元的年营收成长。

另外，三星即将推出的 Exynos 8895 行动芯片，内建 8 核心，并支持 1Gbps 的最大下载速度。由于 Exynos 889 5与高通旗舰行动芯片 Snapdragon 835 一样，都采用三星的 10 纳米制程，使得 Exynos 8895 的多重载波聚合效能，也比前一代 Exynos 8890 有所提升。

根据市场消息，包括 Snapdragon 835 与 Exynos 8895 都预计将使用于三星 Galaxy S8 旗舰型智能手机上。因此，高通在 Snapdragon 835 的代工上之所以选择三星，而非以往由台积电来代为生产，就可能是因为与三星协商后，希望能搭上三星的 Galaxy S8 旗舰型智能手机的结果。然而，三星在 Exynos 8895 的 4G 资料技术进步，也对高通造成了不小的威胁。这使得三星最终可能会减少高通芯片的使用，或以此做为议价的筹码。

至于，高通本身所最新发布的 Snapdragon X20 基频芯片，则是拥有 1.2Gbps 最大下载速度，以及 5x 多重载波聚合的效能。只是，Snapdragon X20 最快要等到 2018 年上半年才会开始出货。因此，将没有机会使用在 2017 年推出的苹果或三星旗舰手机上。

事实上，高通基频芯片部门在 2016年 第四季的出货量，已较前 1 年少了 10%，并可能在 2017 年第一季再下跌 2% 至 13% 的比率。加上苹果与英特尔的结盟、智能手机市场成长减缓，以及联发科、展讯等亚洲芯片厂商的竞争，都对高通数据芯片部门造成不小压力。

因此，除了功耗、尺寸上较 Snapdragon 820 进步外，新款 Snapdragon 835 也瞄准了无人机、VR / AR 头盔、笔记型电脑等应用，因此，Snapdragon 835 被看好能带动高通整体在 2017 年的发展。此外，高通还投入 470 亿美元买下恩智浦半导体(NXP)，介入车用电子市场的领域，此举或许能减少高通对行动芯片业务的依赖。而英特尔打算缩减行动部门的研发预算，也给了高通稍有喘息的空间。如此，未来高通能否接其他领域的发展，继续保持于基频芯片市场的地位，则有待进一步观察。