当前位置:首页 > 模拟 > 模拟
[导读]一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω

一、定性判断MOS型场效应管的好坏

先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极

将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。

注意事项:

(1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。

(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。

三、晶体三极管管脚判别

三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成,三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b,目前常见的三极管是硅平面管,又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

1、找出基极,并判定管型(NPN或PNP)

对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管而言,则正好相反:C、E极分别为两个PN结的负极,而B极则为它们共用的正极,根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下:

将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚,用黑表笔分别接另外两个管脚,这样就可得到三组(每组两次)的读数,当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时,若公共管脚是红表笔,所接触的是基极,且三极管的管型为PNP型;若公共管脚是黑表笔,所接触的是也是基极,且三极管的管型为NPN型。

2、判别发射极和集电极

由于三极管在制作时,两个P区或两个N区的掺杂浓度不同,如果发射极、集电极使用正确,三极管具有很强的放大能力,反之,如果发射极、集电极互换使用,则放大能力非常弱,由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。

在判别出管型和基极b后,可用下列方法来判别集电极和发射极。将万用表拨在R×1K档上。用手将基极与另一管脚捏在一起(注意不要让电极直接相碰),为使测量现象明显,可将手指湿润一下,将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上,黑表笔接另一管脚,注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调,重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度,找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管,则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上,重复上述实验,找出表针摆动幅度大的一次,对于NPN型,黑表笔接的是集电极,红表笔接的是发射极。对于PNP型,红表笔接的是集电极,黑表笔接的是发射极。

这种判别电极方法的原理是,利用万用表内部的电池,给三极管的集电极、发射极加上电压,使其具有放大能力。有手捏其基极、集电极时,就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流,使其导通,此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小,因此可正确判别出发射极集电极来。

扩展阅读:三极管的饱和

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

集电极开路输出在数字芯片设计、运算放大器和微控制器 (Arduino) 类型应用中越来越普遍,用于与其他电路连接或驱动可能与电气特性不兼容的指示灯和继电器等大电流负载控制电路。

关键字: 集电极 开路输出 负载控制

场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)作为一种重要的半导体器件,广泛应用在现代电子技术和集成电路设计中,尤其在低噪声放大器、开关电路、信号处理及功率转换等领域扮演着不可或缺的角色。

关键字: 场效应管 饱和漏源电流

场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子设备的各种电路中。它具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点...

关键字: 场效应管 半导体器件 电子设备

场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种重要的半导体器件,属于电压控制型的电子元件。它的工作原理基于电场对导电沟道中载流子(电子或空穴)的控制,以此来改变通道中的电流大小。根据导电沟道...

关键字: 场效应管 JFET

漏极电压(Vds, Drain-to-Source Voltage)是指场效应管中漏极与源极之间的电压差,通常表示为Vds。它是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的一个重要工作参数。

关键字: 漏极电压 场效应管 电压差

场效应管(Field-Effect Transistor,FET)是一种电压控制型半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低、动态范围宽等优点。在应用中,场效应管的漏集(Drain)和源集(Source)是两个重要的电极,它们的...

关键字: 场效应管 差分放大器

此款750V SiC FET作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,导通电阻值最高可达60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等电动汽车(EV)类应用。

关键字: 场效应管 汽车电子

以下内容中,小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对场效应管的了解,和小编一起来看看吧。

关键字: 场效应管 场效应晶体管 FET

在电子测试设备中,干簧继电器被广泛采用于切换不同路径的信号输入输出。在射频应用中的干簧继电器,器件管脚的优化是一个非常重要的因素,会直接影响射频信号的质量。在早些年30MHz已经算是高频的年代,继电器的管脚是否优化设计并...

关键字: 射频信号 管脚 阻抗 继电器

三极管有3种工作状态,分别是截止状态、放大状态、饱和状态,有些朋友对这3种状态还不太理解,下面跟大家分享一下自己理解方法。三极管的截止状态,这应该是比较好理解的,当三极管的发射结反偏,集电结反偏时,三极管就会进入截止状态...

关键字: 三极管 开关 IC 集电极
关闭
关闭