友达32英寸OLED面板IGZO TFT采用7枚光掩模制作

友达光电(AU Optronics，AUO)在美国波士顿举行的最大规模显示器国际学会“SID 2012”上发表了32英寸OLED面板的实现技术 [论文序号：9.3]。像素为1920×1080，亮度为200cd/m2，对比度为100万:1。

32英寸开发品的驱动元件采用氧化物半导体IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT。载流子迁移率为14.1cm2/Vs，阈值电压约为1.4V,亚阈值摆幅为0.38V/dec.以下。

IGZO TFT构造为底栅型，光掩膜数量为7枚，分别是(1)栅极电极(Al/Mo)、(2)通道层(IGZO)、(3)蚀刻阻挡层(SiOx)、(4)源漏电极(MoN/Al/MoN)、(5)保护膜(钝化膜，SiOx/SiNx)、(6)阳极(ITO)、(7)Bank层(有机膜)。

IGZO层的成膜采用DC溅射技术。友达光电开发IGZO TFT驱动的32英寸液晶面板时利用5枚掩模制作，此次为形成OLED元件追加了掩模。

OLED元件构造采用从TFT基板侧提取光的底部发光型。利用金属掩模蒸镀法分涂低分子型RGB三色发光材料形成彩色面板。