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IGBT软开关逆变式弧焊电源主电路(IGBT电路图):
IGBT软开关逆变式弧焊电源主电路 hspace=0 src="/21ic_image/power/file/200903/5ab9b304673e1eec5cb7630de340115e.jpg" width=600 border=0>
在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...
8月22日,A股收盘后,士兰微发布了2022年半年度报告,公司上半年实现营业收入41.85亿元,同比增长26.49%;归属于上市公司股东的净利润5.99亿元,同比增长39.12%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净...
我们中的许多人都熟悉低功率直流电机,因为我们在日常生活中随处可见它们。我们可能看不到所有更大的交流工业电机在幕后工作,以自动化我们的汽车组装或提升我们每天乘坐的电梯。这些大功率电机由具有不同要求和更高电流的电子设备驱动。...
在本系列的第 1 部分中,我们讨论了如何正确选择 IGBT 的控制电压。这一次,您将了解有关隔离要求以及如何计算正确的IGBT 驱动功率的更多信息。 IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱...
IGBT全称叫绝缘栅双极型晶体管,是一种复合型结构器件,它结合了MOS晶体管和BJT双极型晶体管的优点,在电压电流转换,电能输出领域用的非常多,特别是在高压大电流领域,IGBT占主导地位,是人类控制电能,利用电能的核心半...
N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET,的通用 IGBT 横截面所示。(PT IGBT 有一个额外的 n+ 层,将在后面说明。)因此,IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似...
所谓PT(PunchThrough,穿通型),是指电场穿透了N-漂移区,电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985),但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早,所以...
从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息,用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是,测试结果非常依赖于电路,尤其是寄...
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压 的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也 可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在...
一个等效的 IBGT 模型,其中包括端子之间的电容。输入、输出和反向传输电容是这些电容的组合。数据表中规定了测量电容的测试条件。
这是从芯片结到器件外壳外部的热阻。热量是设备本身功率损失的结果,热阻与基于这种功率损失的芯片的热度有关。之所以称为热阻,是因为使用电气模型根据稳态功率损耗预测温升。
与低功率同类产品不同,MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此,有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要,包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设...
气候变化和社会对环境问题日益敏感,需要为化石燃料动力车辆开发技术解决方案。逐步减少排放的监管要求要求内燃机的设计具有较小的容积、较高的发动机转速,并且能够以较不浓的燃料混合物运行。
【2022年5月30日,德国慕尼黑讯】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管(FWD)、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT(PPI),进一步...
据业内人士爆料称,车用芯片大厂安森美(Onsemi)深圳厂内部人士透露,其车用绝缘栅双极晶体管(IGBT)订单已满且不再接单,2022年-2023年产能已全部售罄,但不排除有部分客户重复下单的可能。
摘要:直流断路器是保障柔性直流输电系统可靠性的重要装备,IGBT作为断路器的关键器件对断路器整机分断能力有着重要影响。现对直流断路器用IGBT的主要工作特征做简要阐述,根据实际工况搭建了测试系统,对器件进行超额定值的大电...
如果说IGBT解决了汽车电动化的瓶颈,那MCU就是解决汽车智能化的关键,对汽车智能化发展起着决定性的作用。
虽然 MOSFET/IGBT 栅极驱动器设计用于以短时间高峰值电流驱动高频容性负载,但我们知道它们还可以驱动感性负载,例如功率继电器线圈吗?这就是 MOSFET/IGBT 栅极驱动器的秘密生命。 这不是新概念。当它们驱...
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