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日月鸿科技股份有限公司
时间：2010-06-07 18:02:00
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[导读]日月鸿科技成立于2006年6月，为日月光半导体和力晶半导体合资成立的IC 封装与测试服务厂，股东包括日月光半导体(2311)，持股约56%，以及力晶半导体，持股约20%，以及力晶集团转投资公司力信投资和瑞旺投资，持股分别
日月鸿科技成立于2006年6月，为日月光半导体和力晶半导体合资成立的IC 封装与测试服务厂，股东包括日月光半导体(2311)，持股约56%，以及力晶半导体，持股约20%，以及力晶集团转投资公司力信投资和瑞旺投资，持股分别为6.79%和1.63%，日月光集团加力晶集团合计持股达84%。公司订于2010年6月18日登录兴柜股票，代码3620。
以DDRII、DDRIII 封装及测试为主。开发中及计划开发之新商品：
A.次世代动态随机内存封装(Next generation DRAM package)
为满足计算机硬件未来对高速度及高密度DRAM 封装的需求，本公司积极研发与评估各种符合次世代DRAM 规格之封装，以达成技术领先并提高公司竞争力。
B.晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP )。
晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)即是指大多数或是全部的封装制程都以晶圆级执行的一种封装技术。可缩小封装尺寸及改善热传导性能，并有低成本的优势，为未来高速度DRAM 可能封装之一。
C.覆晶芯片尺寸封装 (Flip Chip Chip Scale Package, FCCSP)
为拥有较佳之电气性能且具低成本之覆晶封装，为未来高速度DRAM 可能封装之一。
公司主要业务为内存封装、加工、测试及销售，包括DDRII、DDRIII、NOR Flash、Nand Flash。在内存后端封装测试产业，主流DDRII采用的是闸球数组封装技术（BGA），而DDRIII仍将沿用此封装技术，但在测试端的部份，DRAM世代交替至DDRIII 后，频率速度高达1066MHz 至1333MHz，业者需要购买新测试机台，才能满足更快速的频率需求，而公司测试机台则可继续支持功能测试。另在消费电子部分，主要使用NAND或NOR 等FLASH 芯片，依应用的不同有TSOP / SOP / BGA / MCP 等不同封装需求。
内存封装与测试，主要客户为力晶，占营收9成以上。
以DDRII、DDRIII 封装及测试为主。开发中及计划开发之新商品：
A.次世代动态随机内存封装(Next generation DRAM package)
为满足计算机硬件未来对高速度及高密度DRAM 封装的需求，本公司积极研发与评估各种符合次世代DRAM 规格之封装，以达成技术领先并提高公司竞争力。
B.晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Package, WLCSP )。
晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)即是指大多数或是全部的封装制程都以晶圆级执行的一种封装技术。可缩小封装尺寸及改善热传导性能，并有低成本的优势，为未来高速度DRAM 可能封装之一。
C.覆晶芯片尺寸封装 (Flip Chip Chip Scale Package, FCCSP)
为拥有较佳之电气性能且具低成本之覆晶封装，为未来高速度DRAM 可能封装之一。
公司主要业务为内存封装、加工、测试及销售，包括DDRII、DDRIII、NOR Flash、Nand Flash。在内存后端封装测试产业，主流DDRII采用的是闸球数组封装技术（BGA），而DDRIII仍将沿用此封装技术，但在测试端的部份，DRAM世代交替至DDRIII 后，频率速度高达1066MHz 至1333MHz，业者需要购买新测试机台，才能满足更快速的频率需求，而公司测试机台则可继续支持功能测试。另在消费电子部分，主要使用NAND或NOR 等FLASH 芯片，依应用的不同有TSOP / SOP / BGA / MCP 等不同封装需求。
内存封装与测试，主要客户为力晶，占营收9成以上。
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