450毫米晶圆2018年量产 极紫外光刻紧随
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全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产,与此同时,极紫外(EUV)光刻设备也进展顺利,将在今年交付两套新的系统。
ASML在一份声明中称:“在客户合作投资项目的支持下,我们已经完成了用于极紫外、沉浸式光刻的450毫米架构的概念设计,将在2015年交货原型,并兼容2018年的量产,当然如果整个产业来得及的话。”
Intel在今年初展示了全球第一块完整印刷的450毫米晶圆,跨过了里程碑式的一步,并随后宣布将投资20亿美元对俄勒冈州D1X Fab工厂进行扩建,预计2015年可建成并安装450毫米晶圆生产设备。
历史上每次扩大晶圆尺寸都会将可用面积增加30-40%,芯片成本也有相应的降低,300毫米过渡到450毫米同样如此,所以为了使用更先进的制造工艺和极紫外光刻技术,450毫米晶圆势在必行,但随着尺寸的增大,晶圆制造的难度也是指数级增长,因此450毫米晶圆提了很多年了,但至今仍然没能投入实用。
(再次强调晶圆上那是右侧人的投影不是缺一块)
ASML的首批两套NXE:3300B极紫外光刻系统将在今年第二、第三季度出货并安装,用于验证极紫外光刻技术的可行性,为大规模制造做好准备。
ASML NXE:3300B系统已经斩获了11个订单,还有7个也保证采纳。该系统已经做到单次曝光13nm,并且有能力达到9nm,为半导体工艺进军个位数纳米时代打下了基础。
NXE:3300B系统在半年前的源功率只有11W,每小时最多产出7块晶圆,三个月前提高到40W,如今已经可以做到55W,每小时产出43块晶圆,而最终目标是105W、69块。
在此之前,Intel、台积电、三星电子曾经分别向ASML投资多达41亿美元、14亿美元、9.7亿美元,共同推进其加速研发450毫米晶圆和极紫外光刻技术,受到刺激的ASML随后耗资25亿美元收购了关键的光学技术提供商Cymer,加快极紫外光刻进展。