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[导读]内存厂商力晶受到标准型DRAM占营收比重不断降低影响,11月营收20.26亿元,创下2009年7月以来新低。尽管营收表现不佳,不过力晶正式宣布,宣布与日本瑞萨合作之90纳米LCD驱动芯片高压制程进入量产,持续朝转型之路迈进

内存厂商力晶受到标准型DRAM占营收比重不断降低影响,11月营收20.26亿元,创下2009年7月以来新低。尽管营收表现不佳,不过力晶正式宣布,宣布与日本瑞萨合作之90纳米LCD驱动芯片高压制程进入量产,持续朝转型之路迈进。

力晶日前宣布淡出PCDRAM产业之后,积极迈开业务转型步伐,该公司发言人谭仲民指出,代工事业的制程技术获得重大进展,与瑞萨电子旗下之子公司RenesasSPDriversInc.合作的90纳米驱动芯片高压制程,已开发成功并进入量产,此技术承接原瑞萨电子之制程技术,将广泛应用于行动装置的液晶面版驱动芯片上面。

力晶是国内第一家采用12吋厂量产90纳米驱动芯片的半导体公司,并采用材料成本较低的铝制程。透过新一代90纳米制程技术,力晶所生产的驱动芯片,可配置于铝制程中的最小静态随机存取内存,在相同的芯片面积下,较目前主流的130纳米制程内嵌内存容量可增为两倍,未来随着智能型手机屏幕尺寸变大、分辨率提升的市场趋势,终端客户可在充分有效控制成本的情况下,提供给更高阶的智能型手机使用。

谭仲民表示,RenesasSPDriversInc.一直是驱动相关技术领域的先驱,新一代的技术更配合环保省电的要求,采用低电压运作的设计,再加上制程技术与内存领域的面积微缩技术,可以进一步达到内存容量倍增及低耗电量的优势。

谭仲民强调,公司12吋厂90纳米驱动芯片技术,适合搭载大容量内存的高阶智能型手机,将可望带动该公司转型晶圆代工的业务增长。

鉴于DRAM市场持续低迷,谭仲民指出,该公司已加大业务转型的力度,进一步减少标准型DRAM的投片量,有效降低该项产品所造成现金流失,同时也将使DRAM在力晶的产销比重显著减少;至于晶圆代工部门持续投入研发,随着代工业务的成长,将改善财务、营运体质。

另外,受到标准型内存跌价与营收贡献度持续减少下,力晶11月营收20.26亿元,创下2009年7月以来新低纪录,较上月减少5.8%,较去年同期亦衰退47.77%,累计前11月营收为356.32亿元,年减53.89%。

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