台积电28纳米 明年初放量
时间：2011-09-07 11:06:54
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[导读]台积电研发副总经理林本坚昨（6）日参加台湾半导体展（SEMICONTaiwan）展前记者会时指出，台积电28纳米今年底小量生产，明年初预估量会放大，仍采用多重曝影（multipatterning）的浸润式（immersion）微影技术。台积
台积电研发副总经理林本坚昨（6）日参加台湾半导体展（SEMICONTaiwan）展前记者会时指出，台积电28纳米今年底小量生产，明年初预估量会放大，仍采用多重曝影（multipatterning）的浸润式（immersion）微影技术。台积电正在进行20纳米研发，因次世代的极紫外光（EUV）及多重电子束（MEB）的生产准备仍无法完成，所以20纳米还会采用多重曝影技术，14纳米时再试看看EUV或MEB等新技术。
林本坚表示，先进的微影技术正位于一个关键的转折点，光微影制程已突破至每个关键层上进行多重曝光，以降低成本和提高设计弹性，但现在发展出的EUV及MEB等技术，都还未能进入量产阶段，设备成本也太高。以台积电来说，即将量产的28纳米及下一世代的20纳米，仍将采用多重曝影的浸润式微影技术，未来14纳米时还会再试看看导入EUV或MEB等新技术。
台积电今年已经向微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）采购EUV设备，安装在竹科12寸厂Fab12当中，用以发展新世代的制程技术，台积电希望能成为全球第一个可在自有晶圆厂发展EUV微影技术的晶圆代工厂。同时，台积电及日本IDM厂客户瑞萨电子（Renesas）等，日前也宣布加入由日本半导体业联合出资成立的EUVL基盘开发中心（EIDEC），与英特尔、三星、信越化学工业、旭硝子等国际级半导体厂合作，共同投入次世代极紫外光（EUV）微影技术研发。
至于台积电28纳米的进度部份，林本坚指出，28纳米今年底会小量生产，明年初会正式放量。
据了解，包括超微（AMD）、辉达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）等台积电重量级客户，28纳米芯片均已完成设计定案（tape-out），但因终端需求不振及市场库存有待去化，所以原本应在第3季量产的28纳米芯片，已延后到第4季才会开始提高投片量。
林本坚表示，先进的微影技术正位于一个关键的转折点，光微影制程已突破至每个关键层上进行多重曝光，以降低成本和提高设计弹性，但现在发展出的EUV及MEB等技术，都还未能进入量产阶段，设备成本也太高。以台积电来说，即将量产的28纳米及下一世代的20纳米，仍将采用多重曝影的浸润式微影技术，未来14纳米时还会再试看看导入EUV或MEB等新技术。
台积电今年已经向微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）采购EUV设备，安装在竹科12寸厂Fab12当中，用以发展新世代的制程技术，台积电希望能成为全球第一个可在自有晶圆厂发展EUV微影技术的晶圆代工厂。同时，台积电及日本IDM厂客户瑞萨电子（Renesas）等，日前也宣布加入由日本半导体业联合出资成立的EUVL基盘开发中心（EIDEC），与英特尔、三星、信越化学工业、旭硝子等国际级半导体厂合作，共同投入次世代极紫外光（EUV）微影技术研发。
至于台积电28纳米的进度部份，林本坚指出，28纳米今年底会小量生产，明年初会正式放量。
据了解，包括超微（AMD）、辉达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）等台积电重量级客户，28纳米芯片均已完成设计定案（tape-out），但因终端需求不振及市场库存有待去化，所以原本应在第3季量产的28纳米芯片，已延后到第4季才会开始提高投片量。
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