加强3D芯片设计制造能力宏宝科技被正式并入联电研发部门

时间：2011-02-25 17:20:41

关键字：芯片设计联电 3D芯片尔必达

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[导读]联电23日结算前年10月成立的宏宝科技，将宏宝的3D芯片技术团队移植到联电的研发部门。市场预期，未来3DIC可望成为联电在28纳米上的重点产品，拉近与台积电的距离，亦可望对尔必达、力成合作案有加分作用。联电则表示

联电23日结算前年10月成立的宏宝科技，将宏宝的3D芯片技术团队移植到联电的研发部门。市场预期，未来3DIC可望成为联电在28纳米上的重点产品，拉近与台积电的距离，亦可望对尔必达、力成合作案有加分作用。

联电则表示，这项做法不但可使投资成本降低，转为内部之后，也对未来开发3D芯片拥有成本上的优势。

3D芯片是28纳米以下先进制程的重要发展趋势，主要是透过芯片立体堆栈的模式，让不同不同基板的晶以硅穿孔（TSV）堆栈在一起，如此一来，可达到体积小及低耗电需求。

联电是在前年10月19日成立宏宝科技，当时锁定影像感测组件及内存产品，并由联电旗下100%诚创投及真宏投资共持有七成股权，且由执行长孙世伟担任董事长，目前全公司人员有100多人。经过清算，将优先把技术背景为主的工程师纳入联电。

联电并于去年6月与尔必达、力成宣布一起合作，针对包括28纳米的先进制程，提升3DIC的整合技术，透过尔必达提供的DRAM技术、力成的封装技术，以及联电的先进逻辑技术，建立完整解决方案。

联电表示，目前与尔必达、力成的合作仍在进行，预计2012年产品导入量产，清算宏宝，并不影响与尔必达、力成的合作；在联电内部成立3D芯片研发团队后，也许对与尔必达、力成合作案有加分作用。