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[导读]整合元件厂(IDM)在金融海啸后,轻晶圆厂(Fab-Lite)路线更确立,以往欧美IDM厂为台系晶圆代工厂订单主力,但近年来日本IDM厂释单力道增强,尤其在先进制程动作最为积极,半导体业者预期,2011年日本IDM厂对台释单效应

整合元件厂(IDM)在金融海啸后,轻晶圆厂(Fab-Lite)路线更确立,以往欧美IDM厂为台系晶圆代工厂订单主力,但近年来日本IDM厂释单力道增强,尤其在先进制程动作最为积极,半导体业者预期,2011年日本IDM厂对台释单效应将更明显,未来日本将与大陆共同成为台系晶圆代工厂成长重要市场。

台积电董事长张忠谋向来看好IDM厂委外趋势,在第2季法说会中他特别指出,虽然2009年台积电在大陆业务营收首度超越日本市场,但2010年台积电在日本业务出现令人惊喜的巨大增长,因此,尽管大陆市场持续走强,但日本市场营收贡献仍将占较大比重。

联电执行长孙世伟指出,金融海啸后IDM厂加大委外释单力道,且在诸多领域都有看到IDM厂释单。全球晶圆(GlobalFoundries)执行长DouglasGrose则认为,为求生存与成长,愈来愈多IDM厂势必将采行轻晶圆厂策略,外包趋势将持续下去,代工厂必将受惠。

以台积电来说,第2季来自日本地区营收比重由首季4%提升到5%,较2009年同期3%成长;至于第2季来自大陆地区营收比重为3%,较首季2%提升1个百分点,与2009年第2季持平。张忠谋亦强调,IDM委外趋势将持续不衰,未来10年内几乎所有IDM厂都将转型成为无晶圆厂或极轻晶圆厂(FabVeryLite),超越摩尔相关技术更是IDM厂委外最主要产品领域。

2010年以来日本IDM厂积极与台系晶圆代工厂进行合作,包括瑞萨陆续关闭旧厂房,停止28奈米以下制程投资,并将28奈米以下制程芯片委由台积电与全球晶圆生产。富士通(Fujitsu)则于2010年开始在台积电生产40奈米芯片,并将与台积电合作28奈米制程逻辑芯片。

不过,由于40奈米以下先进制程目前占整体晶圆代工产值仍不高,28奈米从2010年下半才开始进入量产,因此,日系IDM厂对晶圆代工厂释单效应在2010年仍只是起步,业界预期到2011年将会有显著成长。

大陆方面,随著大陆IC设计业崛起,厂商家数不断增加,技术实力提升,未来势必将面临先进制程生产考验,中芯国际刚宣布量产65奈米制程,40奈米则要到2011年下半,而这些先进制程芯片设计,台积电、联电仍会是最大受惠者。因此,在日本与大陆成为成长双引擎前提下,台积电、联电2010年大举提高资本支出,有其必要性。

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