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[导读]意法半导体(STMicroelectronics)正与Globalfoundries公司洽谈转移完全耗尽型绝缘上覆矽(FDSOI)制程技术的相关细节,期望于2013年第四季在Globalfoundries于德国德勒斯登(Dresden)的Fab1代工厂实现量产。ST宣称,在相

意法半导体(STMicroelectronics)正与Globalfoundries公司洽谈转移完全耗尽型绝缘上覆矽(FDSOI)制程技术的相关细节,期望于2013年第四季在Globalfoundries于德国德勒斯登(Dresden)的Fab1代工厂实现量产。

ST宣称,在相同的功耗条件下,其28nmFDSOI制程比28nmCMOS制程所能实现的性能能更高30%以上,或者在相同的性能时,其28nm可节省更高达50%的动态功耗。这是因为FDSOI制程可让电压降低到0.6V,而CMOS只能降低至0.9V,ST前段制程部门执行副总裁JoelHartmann解释。

Hartmann说,业界多家公司采用了由SOI联盟提供的28nmFDSOI实体设计套件。然而,他们还希望能够确保这一制程性能提升以符合其需求,因而必须展开与Globalfoundries的进一步合作。

「我们已经与Globalfoundries之间建立一项合作备忘录(MoU)了,现在我们正洽谈合作细节,」Hartmann表示。Globalfoundries已在2012年6月与ST以及其它客户签署了FDSOI晶片代工合约。ST先前已在其于法国Crolles的晶圆厂导入28nmFDSOI制程。

为了补充法国Crolles厂的产能,Hartmann说,Globalfoundries将在其于德国DresdenFab1厂导入这项FDSOI制程,目前该厂进行的是32/28nmCMOS制造。「如果我们在这个月或从二月开始的话,Globalfoundries可望在2013年第四季开始量产FDSOI,」Hartmann说。

Hartmann坦承,SOI晶片的原始晶片成本大约是标准矽晶的两到三倍。但FDSOI制程更简单,因而更能节省成本以及提高良率,他说,「FDSOI制程成本比CMOS更便宜10-12%,这将使我们能够在大量制造时完全弥补SOI基底的额外成本,」Hartmann说。

ST子公司ST-Ericsson推出的一款LTEmodem-应用处理器──L8580,采用28nmFDSOI制造,预计将在今年第一季出样。Altera公司一位资深工程师针对FDSOI进行评估FDSOI表示,该技术还能为FPGA带来特别的好处。「在ST内部,我们也期望应用该新制程于功耗格外重要的消费电子领域,」Hartmann说。不过,他并未透露ST的哪些产品或产品线将会转移至FDSOI制程制造。
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