7月下旬DRAM价格续跌NAND价格持平小涨
时间：2012-08-09 15:10:19
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[导读]根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，DRAM合约价格在7月上旬呈现本年度首次下跌的走势后，下旬合约价依然持续疲弱，4GB均价落在19.75美元，最低成交价甚至出现19.5美元水位，4GB均价较上旬下跌约2.5%。至于
根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，DRAM合约价格在7月上旬呈现本年度首次下跌的走势后，下旬合约价依然持续疲弱，4GB均价落在19.75美元，最低成交价甚至出现19.5美元水位，4GB均价较上旬下跌约2.5%。至于NANDFlash价格方面，因卖方持续采取策略性供给，加上买方开始为第三季的新机种进行备货，7月下旬NANDFlash合约价均价持平小涨。
7月下旬DRAM价格持续走跌
整体DRAM价格在7月份就下跌了7%，以40奈米制程为主的DRAM厂商立刻又转为亏损状态；2GB模组方面，均价于今年7月下旬亦首次出现下跌趋势，来到10.75美元水位。DRAMeXchange指出，时序已进入第三季，由需求端来说，旺季不旺的趋势已不可避免，至少由PCODM出货预估来看已确认不会有返校潮的需求，Win8成为今年下半年唯一动能，但出货时程还在三个月以后，代表记忆体模组价格这波向下修正尚未完结，8月的合约价格极可能继续走弱。
由于除了韩系厂之外，大部分记忆体厂商都已经亏损多时，此波价格下修可能引发另一波减产潮，避免进一步侵蚀已经不算丰沛的现金流，市场供需机制除了由供给端来调节以外别无他法。长远而言，PC出货成长趋缓已是无法避免的事实，记忆体产业该如何调节生产产能以因应萎缩的需求将是各DRAM厂今年最大的挑战。
由PC市场做观察，2012年可能是近年来PC出货首次呈现负成长，主因除了平板电脑兴起持续侵蚀NB出货量之外，疲弱的总体经济亦对消费者信心产生负面影响，无论是消费型(consumersector)或是企业型(commercialsector)市场换机潮多年没出现。虽然大部分的PCOEM于今年年初已相对保守看待2012年的出货表现，然近来各厂仍持续下修出货目标，TrendForce亦将2012年PC出货的预估由原先的3.3%下修至-0.3%，对于记忆体市场的供需预估再一次往供过于求的趋势移动。
DRAMeXchange指出，PC出货疲弱无庸置疑将带动PCDRAM价格向下修正，此举也将影响与PCDRAM特性相当接近的伺服器记忆体，平均销售单价亦同步走跌，7月份伺服器记忆体的主流容量8GBR-DIMM价格亦下跌2~4%不等，可以看出供给的竞争态势相当激烈。
行动式记忆体亦然，自2012年年初起平均销售单价便一路下滑，以2Gb颗粒而言，LPDDR2最低仍有2.75美元的售价，与PCDRAM的1.1美元价位相较仍呈现两倍以上价差，但降价不断压缩获利空间，原本的蓝海市场亦成了红海，当时各家DRAM厂的「往非PCDRAM领域调整生产策略」已经不是最佳的解决方案。
近几年来记忆体市场受到总体经济持续疲弱的冲击造成亏损是主因之一，但记忆体产业最根本的问题仍是无法有效去化现有产能，即使美光与尔比达的整并将产业领往「三强鼎立」的寡占市场，按常理而言价格的削价竞争应能够避免，然而至今在没有任何一家DRAM厂商宣布减产或者长期修正DRAM生产的情况之下，2012年的记忆体营收仍然呈现萎缩的走势。
DRAMeXchange认为，即使有新的制程、产品、封装技术，樽节成本效益的速度远不及供过于求所造成的跌价损失，科技高速的演进带来的却是失序的供给规模。在此前提之下，后续的发展很有可能是趋缓的制程转进、产能利用率的下降以及资本支出的缩减，毕竟在DRAM市场而言，现在的位元成长率可能是获利能力的反指标。
7月下旬NANDFlash合约价均价涨跌互见
在NANDFlash部分，由供给端观察，记忆卡与随身碟价格从5月中开始止跌回升，但部分供应商仍维持市场的供货秩序，其中东芝(Toshiba)更公开宣布减产30%；而从需求端来看，第三季将有大量智慧型手机、平板电脑、超轻薄笔电新机种的上市效应，预期将带动买方提前备货的动能。整体来看，今年预期的传统旺季效应将不如以往，市场能见度仍偏低。不过仍预期NANDFlash合约价在短期内有机会维持小涨格局。
DRAMeXchange指出，第三季虽然为随身碟市场的传统旺季，但是受到下列利空因素影响，预期仅会较上季出现小幅成长：第一，全球经济的复苏力道受欧债不确定性因素持续影响下，预计下半年不论是欧美市场还是新兴国家的经济成长动能都将不如原先所预期，进而压抑各国国内的消费力道。第二，随身碟市场原先预期新一代高速介面USB3.0的产品，可望在下半年成为刺激市场销售的助力，然而随着英特尔IvyBridge的延后上市，预料将使得市场对于USB3.0产品的需求出现递延。
第三，近期NANDFlash卖方采取策略性供货策略，使得NANDFlash模组厂商货源取得较先前不易，因此随身碟产品售价虽可望较上季上扬，但出货量则可能受限NANDFlash货源吃紧而难以完全满足客户的需求。
7月下旬DRAM价格持续走跌
整体DRAM价格在7月份就下跌了7%，以40奈米制程为主的DRAM厂商立刻又转为亏损状态；2GB模组方面，均价于今年7月下旬亦首次出现下跌趋势，来到10.75美元水位。DRAMeXchange指出，时序已进入第三季，由需求端来说，旺季不旺的趋势已不可避免，至少由PCODM出货预估来看已确认不会有返校潮的需求，Win8成为今年下半年唯一动能，但出货时程还在三个月以后，代表记忆体模组价格这波向下修正尚未完结，8月的合约价格极可能继续走弱。
由于除了韩系厂之外，大部分记忆体厂商都已经亏损多时，此波价格下修可能引发另一波减产潮，避免进一步侵蚀已经不算丰沛的现金流，市场供需机制除了由供给端来调节以外别无他法。长远而言，PC出货成长趋缓已是无法避免的事实，记忆体产业该如何调节生产产能以因应萎缩的需求将是各DRAM厂今年最大的挑战。
由PC市场做观察，2012年可能是近年来PC出货首次呈现负成长，主因除了平板电脑兴起持续侵蚀NB出货量之外，疲弱的总体经济亦对消费者信心产生负面影响，无论是消费型(consumersector)或是企业型(commercialsector)市场换机潮多年没出现。虽然大部分的PCOEM于今年年初已相对保守看待2012年的出货表现，然近来各厂仍持续下修出货目标，TrendForce亦将2012年PC出货的预估由原先的3.3%下修至-0.3%，对于记忆体市场的供需预估再一次往供过于求的趋势移动。
DRAMeXchange指出，PC出货疲弱无庸置疑将带动PCDRAM价格向下修正，此举也将影响与PCDRAM特性相当接近的伺服器记忆体，平均销售单价亦同步走跌，7月份伺服器记忆体的主流容量8GBR-DIMM价格亦下跌2~4%不等，可以看出供给的竞争态势相当激烈。
行动式记忆体亦然，自2012年年初起平均销售单价便一路下滑，以2Gb颗粒而言，LPDDR2最低仍有2.75美元的售价，与PCDRAM的1.1美元价位相较仍呈现两倍以上价差，但降价不断压缩获利空间，原本的蓝海市场亦成了红海，当时各家DRAM厂的「往非PCDRAM领域调整生产策略」已经不是最佳的解决方案。
近几年来记忆体市场受到总体经济持续疲弱的冲击造成亏损是主因之一，但记忆体产业最根本的问题仍是无法有效去化现有产能，即使美光与尔比达的整并将产业领往「三强鼎立」的寡占市场，按常理而言价格的削价竞争应能够避免，然而至今在没有任何一家DRAM厂商宣布减产或者长期修正DRAM生产的情况之下，2012年的记忆体营收仍然呈现萎缩的走势。
DRAMeXchange认为，即使有新的制程、产品、封装技术，樽节成本效益的速度远不及供过于求所造成的跌价损失，科技高速的演进带来的却是失序的供给规模。在此前提之下，后续的发展很有可能是趋缓的制程转进、产能利用率的下降以及资本支出的缩减，毕竟在DRAM市场而言，现在的位元成长率可能是获利能力的反指标。
7月下旬NANDFlash合约价均价涨跌互见
在NANDFlash部分，由供给端观察，记忆卡与随身碟价格从5月中开始止跌回升，但部分供应商仍维持市场的供货秩序，其中东芝(Toshiba)更公开宣布减产30%；而从需求端来看，第三季将有大量智慧型手机、平板电脑、超轻薄笔电新机种的上市效应，预期将带动买方提前备货的动能。整体来看，今年预期的传统旺季效应将不如以往，市场能见度仍偏低。不过仍预期NANDFlash合约价在短期内有机会维持小涨格局。
DRAMeXchange指出，第三季虽然为随身碟市场的传统旺季，但是受到下列利空因素影响，预期仅会较上季出现小幅成长：第一，全球经济的复苏力道受欧债不确定性因素持续影响下，预计下半年不论是欧美市场还是新兴国家的经济成长动能都将不如原先所预期，进而压抑各国国内的消费力道。第二，随身碟市场原先预期新一代高速介面USB3.0的产品，可望在下半年成为刺激市场销售的助力，然而随着英特尔IvyBridge的延后上市，预料将使得市场对于USB3.0产品的需求出现递延。
第三，近期NANDFlash卖方采取策略性供货策略，使得NANDFlash模组厂商货源取得较先前不易，因此随身碟产品售价虽可望较上季上扬，但出货量则可能受限NANDFlash货源吃紧而难以完全满足客户的需求。
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