[导读]2010年浸润式微米光刻机台设备(ImmersionScanner)大缺货,形成DRAM产业转进40纳米工艺的天险,随着缺货问题解决,ASML针对20纳米工艺,推出深紫外光(EUV)机台,目前已有10台订单在手,预计2012年将正式交货;不过,对
2010年浸润式微米光刻机台设备(ImmersionScanner)大缺货,形成DRAM产业转进40纳米工艺的天险,随着缺货问题解决,ASML针对20纳米工艺,推出深紫外光(EUV)机台,目前已有10台订单在手,预计2012年将正式交货;不过,对于资金拮据的DRAM厂,1台要价近1亿美元的EUV机台,将会是更大的资金挑战,目前仅瑞晶下单订购1台,藉以确保20纳米工艺的参赛权。
ASML成立于1984年,是从荷商飞利浦(Philipsa)分割出来的独立半导体设备公司,设备不断推陈出新,在1984和1989年分别推出PAS2000和PAS5000机台,1990年代推出PAS5000Stepper和Scanner,2000年推出Twinscan光刻机,2010年进入EUV机台。在ASML各地区营收比重中,亚洲市场占53%,其中南韩占16%、台湾占28%、新加坡占5%、大陆占4%,而美国市场占33%、欧洲市场占14%。
ASML指出,2006年推出第1代EUV机台,出货给比利时微电子研究中心(imec),第2代NEX3100机台,截至2011年第1季已出货3台,预计此款机台只会出6台,其余3台会在年底前出货,之后会推出NEX3300机台量产型机台,其曝光速度和瞄准率均较高。
ASML进一步表示,目前NEX3300机台全球接获订单数量已有10台,客户包括晶圆代工业者,以及台、韩、美、日等内存制造商,预计NEX3300机台可在2012年正式交货。
ASML进一步表示,第1代EUV机台1片晶圆曝光时间要2小时,NEX3100机台估计每小时可达曝光60片晶圆,但目前尚未达此目标,未来NEX3300机台目标是1小时可曝光100片晶圆。
2010年DRAM产业刚从全球金融风暴中复苏,当时各厂加速转进40纳米工艺,却遇到ImmersionScanner机台设备大缺货,各厂工艺微缩进度都被关键机台卡住;再者,浸润式微米光刻机台1台要价近新台币10亿元,对当时体质虚弱的DRAM厂而言,资本障碍也形成竞争力天险。
目前浸润式微米光刻机台设备缺货问题已逐渐解除,半导体厂只有资金充裕,在固定交期下,拿到浸润式微米光刻机台都不是问题,不过要进入20纳米工艺以下的技术竞赛,必须要转进EUV机台,以1台单价近30亿元来看,对于DRAM厂而言,又是另一个艰巨的资金天险。
据了解,目前台系内存厂中,只有瑞晶已向ASML预定1台EUV机台,其他DRAM厂都按兵不动,加上如力晶、茂德等DRAM厂的营运重心都转型至晶圆代工,真正生产标准型DRAM的产能比重也降低,未来在转进20纳米工艺后,是否要购入EUV机台,可能要从财务状况评估。
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