iST集团建构MEMS G-Sensor标准失效分析流程

在先端科技的蓬勃发展下，微机电系统(MEMS)元件已成为智慧产品的主要核心。为降低企业投入MEMS开发时，会有分析技术难以找出MEMS真正失效原因，iST集团-台湾宜特宣布成功建构出MEMS G-Sensor的标准失效分析流程。此流程亦被许多公司实际采用，目前全台开发MEMS G-sensor的公司中，约达九成在iST集团宜特帮助下解决失效问题。
iST集团营运长林正德指出，2007年预见此市场需求后即投入研发，全面布局MEMS等新兴产品失效分析技术。这几年在大量实务经验深耕下，更于今年建立出MEMS标准失效分析流程。

iST集团观察发现，许多公司欲了解MEMS元件的失效状况时，由于对其结构的认知度、掌握度不够，因此以传统方式做开盖(De-cap)观察，容易造成元件污染。此外，iST集团进一步指出，因元件为悬浮结构，以外力移除时易产生毁损。两造影响下，容易造成元件污染和应力破坏，不但没有找出真因，反而制造更多失效盲点。为克服此问题，iST集团今年已成功开发出MEMS无污染的De-cap技术，结合无应力元件移除技术，以非破坏方式保留结构原貌，避开机械应力和污染产生的非真因失效。

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