京瓷化成将“溶化封装膜”用作半导体封装材料

京瓷化成将把2011年发布的“熔化封装膜”用作半导体封装材料。该公司在2013年10月1～5日于幕张Messe会展中心举行的“CEATEC JAPAN 2013”上展示了熔化封装膜。

熔化封装膜是膜状的热硬化型环氧树脂，放在电子元器件上加热便会熔化成液体填充缝隙。在100℃下加热1小时即可完成热硬化，因此只要有烤炉，就可以轻松封装（参阅本站报道）。

不过，以前的熔化封装膜并不能作为半导体芯片的封装材料使用。这是因为，当其变成液体填充缝隙时容易产生空洞（空隙），会导致引线键合连接部的可靠性降低。

实际上，半导体封装领域对膜状封装树脂的需求非常强烈。半导体封装工艺一般都会采用将树脂注入模具的传递模塑法。最近的封装厚度越来越低、模具尺寸也越来越大，因此注入树脂变得十分困难，所以业内正转向使用树脂粉末的压缩成型法来封装器件。但采用这种方法时，由于很难均匀地平铺粉末，因此需要膜状树脂。

为此，京瓷化成改进了熔化封装膜的材料，开发出了可作为半导体封装材料使用的膜状树脂，并已开始样品供货。但遗憾的是，改进后的膜状树脂没有在此次的CEATEC上展出，而是决定在2014年的INTER NEPCON上展出。（记者：木村 雅秀，日经BP半导体调查）