英特尔和高通介绍移动SoC用TSV三维封装技术战略

在“NEPCON日本2013”的技术研讨会（研讨会编号：ICP-2）上，英特尔和高通分别就有望在新一代移动SoC（系统级芯片）领域实现实用的TSV（硅通孔）三维封装技术发表了演讲。两家公司均认为，“三维封装是将来的技术方向”，不过目前存在较多课题，实用化估计要到2015年以后。

英特尔在个人电脑用微处理器领域拥有绝对领先的市场份额，但在逐渐成为互联网终端主角的智能手机和平板电脑所使用的SoC方面，却落后于高通等公司。因此，英特尔计划加快用于移动SoC的各种技术的开发。

其中最重要的就是通过TSV三维封装技术而实现的Wide I/O技术。英特尔计划通过扩大SoC与内存之间的I/O（总线宽度），来提高内存带宽，从而实现系统的高速化和低功耗化。

高通技术公司（Qualcomm Technologies）IC封装工程高级主管Steve Bezuk介绍了高通的开发战略，并向与会者展示了在28nm工艺逻辑LSI上层叠双芯片Wide I/O元件后的X射线图像等。日本英特尔公司技术开发制造技术本部汇编技术开发部部长市川公也发表演讲介绍了英特尔的开发战略。他表示，希望把TSV这一面向移动SoC的技术在市场上推广。

不过，基于TSV的Wide I/O技术存在较多课题。日本英特尔的市川表示，由于需要高精度的TCB（Thermo-Compression Bonding，热压结合）技术和无尘环境，因此容易推高成本。为实现低成本化，与材料及设备供应商之间的合作不可或缺。高通的Bezuk预测称，“目前存在可靠性和成品率问题，将在2015～2016年实现实用化”。英特尔默认在移动SoC用Wide I/O技术的开发方面落后于高通，同时表示“我们会努力追赶”（市川）。（记者：木村 雅秀，《日经电子》）

在28nm工艺逻辑LSI上层叠双芯片Wide I/元件后（X射线图像）。高通资料