[导读]林稼弘 USHIO电机株式会社针对半导体Silicon贯通电极(Through-silicon via;TSV)、Silicon Interposer等3D封装技术,开发出世界首创Φ200 mm(Φ8 inch)全面非接触型投影曝光设备「UX4-3Di FFPL200」,并于即日起于台
林稼弘 USHIO电机株式会社针对半导体Silicon贯通电极(Through-silicon via;TSV)、Silicon Interposer等3D封装技术,开发出世界首创Φ200 mm(Φ8 inch)全面非接触型投影曝光设备「UX4-3Di FFPL200」,并于即日起于台湾市场开始贩售。
UX4-3Di FFPL200为全面非接触型投影曝光设备,是继2010年11月发表且获得日、韩与大陆等LED晶粒厂高度评价之「UX4-LEDs」之后的最新力作,亦成为「UX4」系列产品之最新机种。「UX4-3Di FFPL200」使用与其他UX4系列设备相同之机台架构、搭配直径200mm(Φ8 inch)投影镜头、每小时可达到120片产出之高效能,此外并搭载最适合于3D封装、BUMP之红外线对位功能与背面对位系统,可符合厚膜制程、基板翘曲与贴合基板等特殊需求之制程使用。
UX4-3Di FFPL200由于使用大面积全面投影镜头,因此不会因为基板尺寸加大而牺牲产出能力,此为与步进式曝光设备(STEPPER)最大之差异,也方能实现高产出速度、低良率损失之制程要求,使半导体封装制程能符合兼顾产能与节省CoO之业界趋势,并针对300mm(Φ12 inch)基板用之镜头亦已在开发当中,预计于2012年开始贩售。
UX4-3Di FFPL200特色
●200 mm! (Φ8 inch)以内多种尺寸皆可自动进行设定。
●300 mm(Φ12 inch)可借由MODULE扩充完成尺寸升级。
●全面非接触型投影曝光、无光罩污染损失问题。
●大范围DOF搭配高照度光学系统,可对应光阻后膜制程。
●特殊对位技术,可解决辨识度低之MARK问题。
●针对TSV等3D封装技术独? }发之背面对位系统(选配)。
●专利真空吸附基板技术,可对应翘曲与贴合基板问题。
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