封测厂加码3D IC布局

半导体制程微缩到40纳米以下后，3D封测技术在半导体产业链中的角色日趋重要，包括台积电、联电、日月光、矽品、京元电、力成、颀邦等一线大厂，已经开始着手布建3D IC及相对应的系统级封测（SiP）产能。而目前最被看好的技术，包括了直通矽晶穿孔（TSV）、矽中介板（Silicon Interposer）、厚铜制程及铜柱凸块（Copper Pillar Bump）等，由于国际IDM厂并未针对封测新技术进行投资，封测业者预估明年下半年IDM厂转单效应就会显现，并可开始接单量产。

智能型手机及平板计算机等行动装置的轻薄短小特性，推动芯片制程在今年底开始进入40纳米及28纳米世代，也让3D IC及SiP等先进封测制程出现需求。SEMI台湾暨东南亚区总裁曹世纶表示，3D IC是半导体封装的必然趋势，现在所有产业链中的厂商都在寻找更经济的解决方案和合作伙伴，希望尽早克服技术瓶颈、达成量产目标。

晶圆双雄下半年开始扩大40纳米及28纳米接单，对于3D IC及SiP封测制程需求开始浮现，其中联电与尔必达、力成合作，针对28纳米以下制程发展TSV封测技术，台积电在上周法说会中，宣布要开始提供客户包括矽中介板（silicon interposer）、铜柱凸块、铜柱导线直连（Bump on Trace，BOT）等先进封装制程。

封测厂对于争取3D IC及SiP商机也是动作积极，日月光及矽品已开始量产多芯片3D堆叠SiP封装技术，包括将ARM架构应用处理器及Mobile DRAM集成封装在一起，另外矽中介板、铜柱凸块等已经开始量产。至于京元电及颀邦则在日前宣布针对厚铜制程及铜柱凸块等进行合作，明年上半年就可开始量产。

日月光研发长唐和明表示，虽然业界过去几年在3D IC技术开发上有很长足的进展，3D IC在能大量商品化前，还需要克服包含成本、设计、量产、测试及供应链在内重要挑战。

唐和明指出，由于使用矽中介板的2.5D IC供应链已大致完备，2.5D IC的导入预期会帮助半导体技术更加顺利地由40纳米导入28纳米及以下。在计算机及智能型手机等应用驱动下，预估明年下半年相关芯片就将进入量产，2013年采用2.5D与3D IC的终端电子产品将有机会问世。