力成科技布局先进封装技术　新厂2012年第3季装机投产

力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局，继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后，转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土，预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示，实验工厂以开发新技术为主，包括晶圆级封装、3D IC及铜柱凸块等，估计开发时程约1年，届时新竹厂正好开始启用，新产品效益可望适时于2012~2013年发酵。

蔡笃恭表示，2011年将面临4项挑战，包括营业额成长趋缓、毛利率下降；新台币升值；主要客户减产以应付产量过剩；产业变动太快，景气不明确。该公司也将祭出5大对策因应，包括改进业务推广能力、建立先进封装技术、兴建先进制程量产工厂，并期待于2012年下半加入生产行列，提升子公司聚成科技与苏州厂的产能利用率，积极协助其提高产品制程能力与开发新客户；加强物料采购议价能力，使材料成本合理化，具有竞争力。

其中在建立先进封装能力方面，蔡笃恭表示，力成先前向茂德买下厂房，该厂作为实验工厂，以开发新技术为主，制程涵盖铜柱凸块、线路重布／晶圆级封装技术、硅中介层(Si-Interposer)、硅穿孔(TSV)技术等。此外，力成子公司聚成科技位于新竹科学园区的厂房，已于2011年3月动土，预计2012年6月完工，第3季装机、试产，该厂作为以晶圆级封装与3D IC等先进封装制程的量产工厂。

其中铜柱凸块方面，力成早在3年前即与IBM签约共同开发，预计2011年第4季~2012年第1季量产，初步计划在上述的实验工厂，建置1万片月产能，预计到2012年第1季可以扩增到3万片水平。

蔡笃恭表示，铜柱凸块可应用在内存、逻辑及模拟IC。以DRAM为例，目前三星电子(Samsung Electronics)所生产的GDDR5，已采用铜柱凸块技术，以铜柱凸块与植金凸块相比，成本低之外，也具有低耗电、高效能、高速、尺寸小等优势。然而在产量尚未达到经济规模时，铜柱凸块成本仍高于金凸块，预计到月产能3万片之际，应可超过损益两平点。