联电矽品力成 抢进3D IC

因应智能型手机与平板计算机等行动装置，对轻、薄及省电的需求大增，促成可堆叠的三维芯片（3D IC）需求升温。
这波方兴未艾的「元件微小化」趋势，吸引台积电（2330）、联电、日月光、矽品、力成；均华、力鼎、弘塑及应材、汉民等半导体前段及后段厂商投入3D IC量产布局。

近年来，炒得沸沸扬扬的3D IC，可从晶圆代工龙头厂台积电已为可程序逻辑芯片大厂智霖（Xlinx）量产FPGA芯片，联电及封测厂日月光、矽品、力成也接力加入量产阵容。设备端的弘塑、均华及力积，以及辛耘等的封装接合设备，也导入客户验证中。

今年红不让的日本索尼（SONY）最新旗鉴款防水手机Xperia Z，就已采用3D IC制程的影像传感器芯片，成影像感测芯片新标竿。

这波三维芯片风潮，主要与3D IC制程所缔造的「三高」效益，包括高效能、高密度及高可移植性有关，成功发挥引领风潮的效应，改变半导体业界的思维，吸引国内各厂商积极抢进影像传感器立体堆叠市场。

工研院电光所所长刘军廷表示，工研院跨所推动的「3D IC 三维芯片整合技术」，经过五年的努力，不但成立「先进堆叠系统与应用研发联盟（Ad-STAC）」来建立上中下游相关产业的合作关系，也与资通所展开跨领域合作，成功串联国际大厂，及国内晶圆厂到封测及上游设备产业，达到推动设备及材料国产化，让台湾有机会与国际竞争，创造产业下一波竞争优势。

透过电光所与资通所跨领域合作，整合IC设计与制程阶段，创新研发出具备体积小、整合度高、耗电量低、成本低特性的立体堆叠芯片。

工研院更领先开发出「Backside Via-last」技术，解决晶圆正面进行芯片穿孔制程所可能产生的制程瓶颈，达到减少制程成本，因而吸引英特尔投入，利用3D IC技术共同开发新世代存储器，建立3D IC产品及拓展市场。