中国22纳米技术获重大突破　赶上英特尔

中评社香港7月9日电／中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K／金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。

据《中国科学报》报道，由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。

这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。

优势互补“穿插侦察”齐上阵

4位“千人计划”、5位中科院百人计划，30多位工业界核心的工程师团队……先导工艺研发中心拥有这样一支令人艶羡的国际化研发团队。

“我们整个项目团队在构架上做得比较好。海归跟本土团队结合得水乳交融，形成优势互补。”该中心主任赵超表示。

2009年，在国家科技重大专项02专项的支持下，微电子所成团队引进了一大批海归，建成了拥有200多名研发人员的集成电路先导工艺研发中心。

杨世宁、朱慧珑、赵超、闫江4位“千人”在磨合中迅速形成优势互补的决策团队，在4年艰苦的攻关中拧成一股绳，打出了漂亮的短传配合。

例如，杨世宁原是中芯国际的首席运营官，现任中科院微电子所所长执行顾问一职。他具有非常丰富的产业化运营经验，是一个“会做减法的人”，能始终把握主干，而将枝枝叶叶修剪掉，使项目迅速有效率地直奔目标。