迎战三星、英特尔 台积制程飙速

晶圆代工龙头台积电本周四（18日）将召开法说会，上周于美国圣荷西（San Jose）举办的2013年技术论坛中，却意外宣示包括16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）、极紫外光（EUV）等新技术研发及投产进度全部往前拉。

业界认为，台积电将新技术投产进度时程全面提前，除了新技术研发有所突破外，另一战略考量，即是为了迎战声势如日中天的韩国三星，以及即将由薄纱后走到台前的英特尔。

今年是台积电倾全力拉高28纳米产能的一年，原本规划明年才开始拉升20纳米产能，但20纳米量产时间点可望提前至今年底开始。台积电在竹科12寸厂Fab12、南科12寸厂Fab14，已有20个20纳米芯片完成设计定案（tape-out），且多数为新一代ARM Cortex A15处理器核心的芯片。业界人士指出，当中自然包括了苹果下一代A7处理器。

台积电原本2015年后才真正进入16纳米FinFET世代，但现在已经确定今年底开始试产第一片16纳米FinFET制程晶圆，应是投产首颗64位元ARM Cortex-A57架构及ARMv8指令集设计芯片。

由此来看，明年台积电就会进入16纳米FinFET世代，比原本预期早了一年。台积电虽然与英特尔、三星等共同加入了微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）的「客户联合投资专案」，但去年底时，仍认为EUV技术尚未成熟，16纳米及10纳米仍会用到多重曝光浸润式（Multi-Patterning Immersion）微影技术，7纳米后才会进入EUV世代，约在2016~2017年。

不过，台积电指出，首片采用EUV微影投片的10纳米晶圆，可望在2015年底开始投产出货。虽然台积电仍在评估电子束微影（e-beam）可行性，但由此来看，台积电EUV制程将提前1~2年时间进入生产阶段。

台积电将20纳米SoC制程、16纳米FinFET制程、EUV微影制程等生产时程全面往前拉，原本预估今年90亿美元资本支出显然不足，外资分析师均认为，台积电今年资本支出拉高到100亿美元已无可避免，明年可能还会拉高到100亿美元以上，才能将先进制程投产时间点顺利提前。