东芝：10nm以后仅靠ArF液浸多重曝光无法对应

东芝在光刻技术会议“SPIE Advanced Lithography”上发表演讲，介绍了对于拥有半节距10nm以下（sub-10nm half pitch）分辨率的四项光刻技术、主要从尺寸精度的观点对其进行比较的结果（演讲编号：8685-2）。

此次东芝进行比较的四项技术为：（1）ArF液浸＋SAOP（self-aligned octuplet patterning）、（2）EUV曝光＋SADP（self-aligned double patterning）、（3）EUV曝光＋LELE（litho-etch-litho-etch）、（4）EUV曝光＋DSA（directed self-assembly）。这四种技术均可实现半节距10nm以下的图案。顺便提一句，纳米压印（NIL）由于被定位于尚在研发阶段，因此此次未列入比较对象。

东芝的模拟结果显示，尺寸偏差最小的是（4）EUV曝光＋DSA。这是一种在EUV曝光形成的引导图案中使用DSA技术，将节距缩小至1/4的技术。另外，（2）EUV曝光＋SADP的尺寸偏差也在允许范围内。而（1）ArF液浸＋SAOP和（3）EUV曝光＋LELE的尺寸偏差则很大，超过了允许范围。

可以说，此次的比较结果暴露出了使用ArF液浸的多重曝光技术存在的课题。东芝已将通过ArF液浸曝光缩小至1/2节距的SADP成功应用到了批量生产19nm工艺NAND闪存，该公司认为下一代工艺可用节距缩小至1/4的SAQP（self-aligned quadruple patterning）来对应。

作为半节距10nm以下的技术，东芝此次还对节距缩小至1/8的SAOP展开了测评，结果表明该技术的尺寸偏差超过了允许值。东芝指出，其原因主要在于侧壁膜厚的偏差很难控制。看来，要想实现节距10nm以下的分辨率，还需要开发EUV曝光以及利用分子自组织化DSA等新技术。（记者：木村雅秀，《日经电子》）