联电(2303) 本公司2012年第三季财务报告

发言时间 101/10/3115:33:25
发言人 刘启东 发言人职称 财务长 发言人电话 02-2658-9168

主旨 : 本公司2012年第三季财务报告
符合条款第49款
事实发生日101/10/31
说明

1.事实发生日:101/10/31
2.公司名称:联华电子股份有限公司
3.与公司关系(请输入本公司或联属公司):本公司
4.相互持股比例:不适用
5.发生缘由:
联华电子公布 2012 年第三季财务报告
第三季营运符合预期，40奈米高阶及特殊制程营收持续成长
联华电子股份有限公司今(31)日公布 2012 年第三季财务报告，营业收入为新台币
285.3 亿元，与上季的新台币 276.2 亿元相比成长 3.3%，较去年同期的新台币
251.9 亿元成长约 13.3%。 本季毛利率为 24%，营业净利率为 12.7%，税后净利新
台币 24.2 亿元，每股普通股获利为新台币 0.19 元。
联华电子执行长孙世伟博士表示，“2012年第三季的营收及本业获利均持续成长，
出货量约当八寸晶圆113.3万片，整体产能利用率为84%，由于40奈米先进制程比重提
升，平均销售单价较上季上升并带动营业收入成长。 40奈米制程晶片需求畅旺，营
收贡献从第二季9%成长至第三季的13%，年底到达15%营收的内部目标可望提前完成。
为提供客户在蓬勃发展的触控晶片领域最具竞争力的解决方案，本公司推出创新的
embedded Flash 特殊制程技术平台，已为数家触控领导厂商采用并量产，我们乐观
预期这些特殊制程技术也将为联电的成长注入动能。”
孙执行长继续表示，“28nm进度符合预期，其中依照联电28nm设计套件(design-in)的
产品良率持续提升中，首波 28nm porting 产品良率的提升经过几个月元件及制程参
数之调整，已获得显著的进展。 我们也在第三季成功tape-out使用28nm high-k and
metal-gate (gate-last) 制程的行动通讯产品，并陆续与包含 28nm 行动通讯、运
算，有线、无线网路，数位电视，资料储存控制器，以及可程式逻辑等应用的客户密
切合作。 同时，在 IBM FinFET 技术授权的基础上，联华电子决定积极投入14nm
FinFET (+ 20nm metal) 制程技术的开发，14nm FinFET 将提供最佳的低功耗及高效
能表现，并降低因为使用双重曝光（double patterning）微影技术所带来的成本冲
击。”
孙执行长强调，“晶圆专工处在库存调整及景气循环的周期中，我们预估此波库存调
整将持续至明年初，景气回温的脉动将取决于明年总体经济，终端需求，与新产品交
替力道的强弱。 我们将持续扩大客户层面，改善产品组合，并进一步提升产能调配的
弹性来降低周期性波动所带来的冲击。 同时，联华电子也将加强与先进及特殊制程客
户针对特定产品及应用进行客制化合作，提供全方位客户导向晶圆专工解决方案。”
本公司2012年第四季展望:
Wafer shipment: To decrease by approximately 7-9%
Gross Margin: To be in high teen percentage points
Capacity utilization: Mid to high 70% range
6.因应措施:无。
7.其他应叙明事项:无。
以上资料均由各公司依发言当时所属市场别之规定申报后，由本系统对外公布，资料如有虚伪不实，均由该公司负责.