[导读]联电(2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布,已顺利验证晶圆专工业界第一个结合12V解决方案的高压嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程。联电指出,此制程可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压,以及存放演算法所需的eFlash,结合于
联电(2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布,已顺利验证晶圆专工业界第一个结合12V解决方案的高压嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程。联电指出,此制程可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压,以及存放演算法所需的eFlash,结合于同一颗高整合度的单晶片中,并且有效地改善信噪比(SNR)。
与业界所提供的其他高压选项(例如18V、24V或32V)相比,联电表示,此12V解决方案在信噪比与耗电之间,提供了不错的平衡。
联电特殊技术开发处资深处长陈立哲表示,联电建构了完整的技术平台,该平台包含了尖端技术与客户导向的特殊技术,并能充分满足客户广泛应用产品的需求。而联电作为第一家推出整合eFlash制程的12V至铝制程A+平台之晶圆专工公司,也让其有能力掌握中大尺寸触控面板快速成长的市场契机。
联电强调,公司现有0.18微米与0.11微米eFlash产品的成功经验,可说为此12V eFlash平台的顺利推出,打下了稳固的基础,并可藉此协助客户在蓬勃发展的触控晶片市场中,加速产品上市时程,同时差异化其产品定位。而联电现已大量出货eFlash晶圆,数家晶片设计公司也已经在其触控萤幕产品上,采用并且验证了联电的12V eFlash解决方案。
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