FDSOI支持者拟催生全新芯片生态系统

包括ARM、IBM、Soitec、意法半导体(STMicroelectronics)、代工厂Globalfoundries ，以及研发机构如CEA-Leti等，都共同在稍早前的SEMICON West大会上，共同商讨FDSOI技术的前景。他们强调，为了在日益升高的设计复杂度和成本等挑战压力下，再推动新的行动技术发展，业界将需要“协同创新”。“我们比以往任何时刻都更需要同心协力，”IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton说。

Patton接着表示，晶片制造商将成为SOI产业联盟的核心，基本上，这个联盟的成员集结起来，就像是一个“虚拟IDM”，或是积体电路制造商。

要推动这种新晶片技术获得成果，半导体供应链中的每一个部份都应该出一份力，Globalfoundries设计方案副总裁Subramani Kengeri说。该公司上个月才宣布与ST展开基于FDSOI技术的28nm和20nm元件合作。

ST技术研究和开发部门副总裁Phillippe Magarshack 认为，要同时提高行动设备性能并降低功耗，正不断带来压力。“合作是最高原则。任何公司都不能仅独善其身了。”

ST的手机晶片合资企业ST-Ericsson在今年稍早宣布，将在下一代NovaThor 行动应用处理器中采用平面FDSIO 技术。

Magarshack表示，ST下个月就将推出首款采用平面FDSOI技术的28nm晶片，并预计今年底开始出样。

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在FDSOI 电晶体中，在源极和漏极之间形成的导电通道，被限制在闸极氧化层之下以及SOI 埋入式氧化层之上的超薄矽晶层中。/ 资料来源：ST-Ericsson

这种低功耗方法的支持者表示，能将智慧手机和平板电脑的电池寿命延长多达30%。法国晶片研发机构CEA-Leti 握有FDSOI技术关键专利，该机构也声称能提高最多20%的行动设备速度，相当于能为一款行动设备提供额外的4小时网路浏览时间。

制造和供应链是关键

Leti 和IBM 的研究人员以及SOI晶圆供应商Soitec 正共同开发FDSOI 技术。而与ST-Ericsson的合作则将为该技术提供一个可微缩到20nm及以下制程的开发平台。

Leti的研究人员表示可在22nm节点达到更小的闸极长度，并因而减少了寄生效能。这将大幅提升性能，再加上使用种为背闸偏置(back-gate biasing)的技术，还可降低功耗，让制造商在行动市场中为其产品提供“显著的差异化”，ST的Magarshack说。

他进一步表示，ST正与Globalfoundries合作推动“FDSOI生态系统”。ARM公司的Ron Moore也指出??，下一步将再把该制程的低功耗优势扩展到伺服器和其他的行动基础设施领域。

Moore指出，目前的行动基础设施大约是用一台伺服器来支援600部智慧手机的使用。未来几年内，随着可预见的智慧手机爆炸性成长趋势，预计也将需要更多伺服器来支援，届时，这些设备都会更需要低功耗特性和提升性能。

合作伙伴承认，他们与英特尔在下一代行动晶片领域的主要竞争，最终都将回归到所能展示的FDSOI技术制造能力，以及能否为行动市场的设备制造商降低风险。FDSOI的支持者表示，英特尔的FinFET在该公司推出14nm节点前都不会进入量??产，而他们则已经在28nm节点生产，并准备前进到20nm。

SOI产业联盟执行总监Horacio Mendez坚称“供应链就快要成形，”他并表示在六至九个月内就可提升到满载生产。“我们不需要担心FDSOI供应链。”