台积电宣布将为瑞萨代工40奈米以下制程MCU

日本微控制器（MCU）大厂瑞萨与台积电（2330）今（28）日共同宣布，双方已签署协议，扩大在微控制器技术方面的合作至40 奈米嵌入式快闪记忆体 (eFlash)制程，以生产应用于下一世代汽车及家电等消费性产品的微控制器。
瑞萨和台积电合作行之有年，先前瑞萨已委请台积电代工90 奈米嵌入式快闪记忆体制程，为该公司生产微控制器，而在此40 奈米微控制器新合作案中，瑞萨则将委托台积电生产 40 奈米及更先进制程的微控制器。
瑞萨表示，与台积电将携手合作，结合瑞萨支援高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技术，与台积电高品质技术的支援，包括先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）制程与灵活的产能调度，在MCU 平台与制造所需的先进技术上取得领先地位。
此外，瑞萨也强调，藉由将此MONOS制程平台提供给全球其他半导体供应商，包括无晶圆厂（Fabless）公司及整合元件制造商（IDM），瑞萨与台积电也将致力于建置一个更完整的设计生态环境，并进一步扩大客户群。
瑞萨资深副总岩元伸一表示，为达到全球业务持续成长的目标，瑞萨有信心台积电能够提供瑞萨产品迅速量产的优势，并给予最大的弹性，因应市场剧烈波动时的需求。他也强调，瑞萨本于去年历经日本大地震冲击多条生产线与客户业务之后所学习到的经验，已经加快晶圆厂网路（Fab Network）的布建。而藉由此次与台积电的合作，瑞萨将建造一个能够为客户稳定供货的架构。
台积电全球业务暨行销资深副总经理陈俊圣则表示，瑞萨是微控制器市场的领导厂商之一，这次的合作将协助提供瑞萨新产品推出时所需的效能，满足其客户对品质及可靠性的期待。
台积电表示，基于双方长久以来稳固的合作关系，公司提供瑞萨具有成本效益且非常可靠的制程能力，将快闪记忆体整合于单一微控制器上。相较于目前的90 奈米制程，采用40 奈米制程生产的微控制器产品具备更高速、更低功耗的优势，而且晶片尺寸缩小逾50%，这些特性对于整合型微控制器的设计格外重要，该设计将逻辑晶片、记忆体、及其他系统零组件压缩至极小的面积上。