台积电、瑞萨在微控制器技术合作扩大至40纳米

台积电(2330)、瑞萨电子今（28）日共同宣布，双方已签署协议，扩大在微控制器(MCU)技术方面的合作至40纳米嵌入式快闪存储器(eFlash)制程，以生产应用于下一世代汽车及家电等消费性产品的微控制器。
瑞萨电子先前已同意采用台积公司90纳米嵌入式快闪存储器制程为该公司生产微控制器；在此40纳米微控制器合作案中，瑞萨电子将委托台积电(2330)生产40纳米及更先进制程的微控制器。

瑞萨电子与台积公司将共同合作在MCU平台与制造所需的先进技术上取得领先地位，结合瑞萨电子支持高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技术与台积电高质量技术的支持，包括先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）制程与灵活的产能调度。
此外，藉由将此MONOS制程平台提供给遍布全球的其它半导体供应商，包括无晶圆厂（Fabless）公司及集成元件制造商（IDM），瑞萨电子与台积电将致力于建置一个设计生态环境，并且扩大客户群。
瑞萨电子资深副总岩元伸一表示，为了达到全球业务持续成长的目标，台积公司能够提供其产品迅速量产的优势，并且给予最大的弹性，因应市场剧烈波动时的需求。根据去年历经日本大地震冲击多条生产线与客户业务之后所学习到的经验，瑞萨已经加快晶圆厂网络（Fab Network）的布建，成为公司营运持续计划（Business Continuity Plan, BCP）之中的一环。
台积公司表示，相较于目前的90纳米制程，采用40纳米制程生产的微控制器产品具备更高速、更低功耗的优势，而且芯片尺寸缩小逾50%，这些特性对于集成型微控制器的设计格外重要，该设计将逻辑芯片、存储器及其它系统零组件压缩至极小的面积上。