智能手机引导低功耗潮流　Soitec矽晶圆成要角

王怡苹／新竹 智慧型手机引领市场潮流，低功耗、低成本成为IC设计重点，半导体材料的进化也成为趋势，绝缘层上覆矽(SOI)晶圆供应商Soitec则针对28以至11奈米先进制程，发展全耗尽(FD)技术的SOI晶圆，可降低IC功耗、并节省后续晶圆制程；Soitec也将寻求更多技术合作伙伴，以拓展整体SOI晶圆的市场，目标为让FD SOI晶圆成为市场主流。

Soitec企业行销战略部高级副总裁王硕仁表示，随着主导市场的电子产品改变，对于IC的需求也截然不同，过去主导市场潮流的是PC，高效能(high performance)受到重视，对功耗则较少着墨，但今天主导市场的是智慧型手机(Smartphone)，受到电池限制，在效能之外，节能、低功耗(low power)和低成本(low cost)更为重要，因此各IC设计公司在设计IC时也越来越重视低功耗及低成本等特性，当整个市场跟随此趋势，作为半导体材料的矽晶圆，也可因应此需求做出进化。

Soitec为全球最大半导体用SOI晶圆供应商，即在晶圆上覆盖1层氧化层，以改变晶圆的导电性等特性，最大优点为可为晶圆厂客户节省部分制程，目前全球SOI晶圆市场每年约200万片，Soitec占其中约70%市占率，另外30%则由合作伙伴信越半导体占有；以台湾市! 场而言，Soitec的SOI晶圆则有80~90%市占率。

Soitec以原有的SOI晶圆为基础，发展全耗尽(FD)技术产品线，对于28奈米甚至更先进的14、11奈米世代的平面和3维电晶体(FinFET)均有对应产品，Soitec表示，FD产品的好处在于可减少30%的功耗，并节省20~25%的制程步骤，在28奈米及更先进制程中，每1步的设备花费都比起过去的0.13mm昂贵得多，因此节省制程便是减少投资成本，在finFET的生产上，也可节省约1年的开发时间，在如今上市时间(time to market)便是一切的市场来说，降低开发时间是相当重要的。