台积电今年资本支出 冲新高

台积电董事长张忠谋透露将提高今年资本支出，新的金额将大于去年的72.9亿美元（约新台币2,152亿元），极可能超越三星逻辑芯片系统部门（LSI）的73亿美元；这不仅是台积电的新高纪录，更凸显力抗三星的企图。

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台积电年度技术论坛于美国时间17日在旧金山展开，张忠谋亲自出席，他表示，「只要28纳米产能赶紧扩充，台积电最坏情况确定过去。」这项谈话引发法人圈对调高资本支出题材正面解读，昨（18）日台积电上涨1.2元，收盘价重新站上85元。
台积电今年原订资本支出60亿美元，与去年相比减少17.7%。但随著28纳米产能告紧，日前已确定会调高资本支出。外资德意志证券预估，可能上调至68亿美元，但张忠谋在科技论坛最新透露，调高后金额将大于去年的72.9亿美元，因而资本支出调升幅度可望超过17.8%，实际金额将于26日公司法说会宣布。
值得注意的是，台积电竞争对手之一的三星LSI，因为看好行动装置带来的应用处理器需求，今年资本支出大增至73 亿美元，年增率高达75%，旗下美国德州Austin厂，月产能3万至4万片，几乎是替苹果处理器所预备，也是三星大幅扩充资本支出的主要需求。
半导体业者认为，台积电因应28纳米需求，大幅拉高后的资本支出金额可能超越三星，与三星互别苗头的竞争意味浓厚。

图／经济日报提供台积电2011年资本支出写下72.9亿美元历史新高，法人圈估计，今年资本支出可能来到73亿至75亿美元，不但超越三星LSI，也将再刷新纪录。
台积电两年前就改变经营策略，以高资本支出、高研发拉开与竞争对手的距离。张忠谋此次赴美主持台积电美西技术论坛更强调，台积电今年提高资本支出是因为28纳米产能不够，绝非28纳米良率的考量，目前28纳米良率都在控制中。
目前台积电是28纳米唯一量产的晶圆代工业者，高通、辉达、超微都是28纳米主力客户。为解决客户需求，台积电位于中科Fa15第一、二期已投产，第一季台积电12寸月产能约30.4万片，在公司全力扩产下，设备商估计，台积电三座超大晶圆厂预计到今年底可贡献40万片约当12寸晶圆月产能，领先对手三星三至四倍。