eBeam创始计划将于近日公布最新电子束技术蓝图

电子束技术联盟「eBeam创始计划(eBeam Initiative)」将于近日公布最新的技术蓝图，其中包括如何提升 20奈米与 14奈米晶圆制程良率的具体方法；该创始计划的目的是改善光罩精确度与写入时间，同时降低电子束微影技术的光罩成本。
eBeam创始计划表示，在28奈米与20奈米以下逻辑制程节点，光罩规格通常在线宽上低于80奈米，让维持光罩精准度与晶圆良率的困难度升高；也因为如此，光罩临界尺寸(critical dimension，CDU)的一致性成为越来越重要的议题。该创始计划参与成员正在导入包括光罩制程修正(mask process correction，MPC)等等电子束技术，以打造一个有效的生态系统。

「28奈米制程节点以及20奈米以下制程节点的两个最大的光罩制作挑战，就是精确度与发数(shot count)；」eBeam创始计划的管理级赞助成员D2S执行长Aki Fujimura表示：「光罩制作商必须持续在对于可达成高晶圆良率的光罩精准度需求，以及达成高精准度会产生的较长写入时间、较高成本之间达成平衡。」

eBeam创始计划的最新声明并指出，也是该计划成员之一的电子束微影技术供应商JEOL，已经开始接受可改善光罩CDU的客户订单；「无论半导体产业是将在可见的未来持续推进光学微影技术的极限，或是将转移至EUV微影技术，提升光罩精确度都是达成高晶圆良率的关键。」JEOL的SE业务部门总经理Wataru Wakamiya表示。

在2012年及未来，eBeam创始计划成员将持续证明电子束技术的进展与可用性；该创始计划将于2月12日至16日于美国举行的SPIE先进微影技术研讨会(SPIE Advanced Lithography Symposium)上发表最新技术蓝图，并发表一篇技术白皮书(MB-MDP Enables Circular Shots to Improve Mask Accuracy As Well As Shot Count，将同时刊登于该计划官网)。

此外eBeam创始计划也将于SPIE会议上展示其成员 CEA-Leti 与Tela Innovations采用光学与电子束之复合式微影技术研发成果。

编译：Judith Cheng

(参考原文： E-beam Initiative ready with updated roadmap，by Nicolas Mokhoff)