20奈米制程声声催　EUV光罩/晶圆检测发展赶进度

在先进制程迈入20奈米之际，半导体设备商正积极透过策略结盟方式发展EUV光罩缺陷检测系统，以加速实现EUV技术应用于20奈米节点的目标；另一方面，拥有更高晶圆缺陷检测精准度与吞吐量的电子束晶圆缺陷检视设备，需求也逐渐看涨。
极紫外光(EUV)技术一度被认为可用于65奈米(nm)制程节点生产，然该技术成熟时程却持续延宕至20奈米，尽管EUV扫描器制造大厂艾司摩尔(ASML)正加速让EUV技术应用于22奈米制程，并已率先业界推出EUV微影(Lithography)设备NXE:3100，然EUV技术仍面临缺乏光源能、零缺陷光罩等诸多发展桎梏，让EUV设备制造商显得力有未逮。

ASML推出的EUV工具NXE:3100，现已正式出货。
为实现零缺陷的EUV光罩，光罩缺陷检测系统不可或缺。有鉴于EUV前景可期，科磊(KLA-Tencor)正试图透过与SEMATECH策略结盟发展光罩缺陷检测系统，以加速EUV技术成熟，并藉此卡位EUV市场先机。

插旗EUV版图KLA/SEMATECH结盟

图1 科磊行销长Brian Trafas(左)表示，相对于记忆体市场景气持续低迷，受惠于晶圆厂先进制程世代交替，将为晶圆缺陷检测系统带来更大的市场机会点。右为台湾分公司总经理张水荣
科磊行销长Brian Trafas(图1左)表示，目前EUV技术成熟的时间点仍持续递延，其中零缺陷的EUV光罩即为一大技术瓶颈，因而为科磊提供进军EUV市场的绝佳机会，透过与半导体业者SEMATECH携手开发光罩缺陷检测系统，将有助加快EUV技术成熟的脚步。

目前，科磊已加入SEMATECH在奈米科学与工程学院(CNSE)奥尔巴尼分校的微影减少缺陷方案，该公司将于降低缺陷中心投入EUV工具和材料技术研发。

EUV藉由较目前的微影技术系统使用波长短十五倍的方式，使半导体扩展至10奈米甚至更小的解析度。着眼于众多半导体供应商预计将于2012～2013年推出22奈米制程，届时为使先进微影技术达成大量生产目标，更低的缺陷密度将为关键，此次科磊与SEMATECH的策略合作重点将放在减少缺陷和光罩度量基础建设、光源发展，以及相关量产及可扩展性研究。

科磊总裁暨执行长Rick Wallace指出，科磊乐见与合作夥伴SEMATECH开发新的测量能力，以解决缺陷侦测和减少的根本问题，此对于EUV基础建设至关重要。

另一方面，值此晶圆厂先进制程迈入20奈米以下的世代交替之际，让更高晶圆缺陷检测精准度与速度的电子束(e-beam)晶圆缺陷检视设备重要性亦剧增。也因此，科磊瞄准20奈米及以下制程节点发表eDR-7000，将为挹注2012年可观营收贡献的利器。

抢攻20奈米缺陷检测科磊eDR-7000上阵

Trafas表示，全球景气受到日本311强震、欧美债务危机及北美居高不下的失业率波及，消费性与个人电脑(PC)市场需求萎靡，冲击晶圆厂营收下滑，导致今年下半年至2012年景气仍未见明朗。晶圆厂为降低制造成本，朝20奈米以下制程推进已势在必行，将带来缺陷成像与分类的巨大挑战，亦将是科磊创造更高营收的一大机会点。

有鉴于此，科磊已推出灵敏度高达±100奈米，可检视小至10奈米或位于沟槽或孔洞底部的缺陷，精准度较上一代eDR-5210高出30%，且每小时检测晶圆缺陷数量上看五千颗的电子束晶圆检测系统eDR-7000，速度比eDR-5210高二至三倍，以突破晶圆厂客户导入20奈米及以下制程面临的技术挑战。

科磊电子束部门资深产品市场行销经理Christina Wang补充，该公司eDR-5210可侦测和拍摄面积达1.5微米(μ)，性能已优于竞争对手，而eDR-7000更可缩小至1微米，竞争力更胜一筹。此外，eDR-7000解析度可达2.0奈米，与eDR-5210的1.8奈米相比，无论精确度与解析度都更为优异。

科磊台湾分公司总经理张水荣(图1右)透露，事实上，eDR-7000在历经台湾晶圆厂达6个月的验证通过后，日前科磊已向该厂商交货，但直到近日才正式对外宣布推出。

张水荣谈到，台湾在科磊营收贡献占有举足轻重的地位，其中太阳能、发光二极体(LED)将为带动营收贡献成长的两大动能，2011年营收贡献比重已达7%。然现阶段，半导体制程控制与良率管理领域仍为科磊最大营收贡献来源，尤其是20奈米及以下的晶圆缺陷检测系统将是主力，其涵盖电子束晶圆缺陷检视设备、Surfscan SP3和即将推出的晶圆检测产品系列的其他产品。

相较于前一代的eDR-5210平台，eDR-7000增加诸多新功能，包括第三代经过实测的浸润式电子束系统，可提升解析度和改善成像品质；先进的平台与振动隔离系统，可使座标精度提升三倍，缺陷检视速度提升达四倍；大幅提升裸晶圆缺陷检测灵敏度，如改进X射线能谱成分分析(EDX)等。

着眼于先进制程朝20奈米以及以下推进已势不可当，半导体业者在产品线策略部署将左右开弓，一方面除将致力于EUV技术的突破，同时开发可更精确检测20奈米晶圆缺陷来源的e-beam晶圆缺陷检视设备，以符合市场需求。