冲成公司代理引进更高阶精密设备　协助客户提升制程良率

全球消费性电子产品趋势不断朝向轻、薄、短、小及高效能发展，因此随着其快速演进的过程，厂商必须不断地开发先进且高效能的晶片制程与技术。此外，良率更关系着成本与获利的关键。因此透过更精密的仪器及高科技的设备，提高生产制程上的良率，才有机会在不景气中脱颖而出，打败竞争对手，让危机变为转机，这也是各半导体大厂持续努力的目标。

积体电路制程在愈做愈小的趋势下，层与层之间叠对是否精准，线宽尺寸误差是否在可容许的范围内，都会深刻影响积体电路的良率和性能表现，所以必须有先进的量测技术加以检视、验证，并提供数据作为技术改善的依据。良率的提升对半导体产业来说是相当重要的，举例来说，若某公司每年约产出10亿颗记忆体晶粒，假使良率提升1%，则表示该公司在一样的生产条件下，不增加资本投入，每年便可多出1,000万颗记忆体晶粒，以每颗记忆体晶粒2美元计算，整年度之盈余便可多出2,000万美元。

ISIS专精于非接触式精密量测机台的研发与生产，在高精密度量测方面有非常独到的专利与技术，因此冲成特别代理引进ISIS量测机台。ISIS之非接触厚度量测系统，是以红外线折射的方式，非破坏性地量测被测物。透过多次穿透的折射方式可同时量测多层被测物(Multi layer)，并可以2D & 3D图画方式呈现数据，让使用者方便判读。除此之外，其精准度(Accuracy)亦达到0.2μm，重复性(Repeatability)更可达0.1μm(3 sigma)。ISIS仪器所能量测的材质包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/ Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。

除此之外，冲成代理之E+H也是提升良率的重要检验仪器，从2寸到18寸的晶圆都有其对应机型。来自德国的E+H同样在精密量测上有傲人成绩与历史。E+H电容式量测仪器在晶圆(Wafer)的量测上深受半导体制程上的肯定，包括厚度(Thickness)、翘曲度(Warp)、应力(Stress)、TTV等，都能准确、快速地测量出数据，汇出的2D与3D图，让RD人员在研发上有所依据，产线人员亦可迅速检验并提升良率。以MX203机型为例，最快5秒即可量测1片wafer。

冲成公司多年来一直致力于提供最好的服务，秉持着「客户的成功就是冲成的希望」之宗旨，除代理先进的设备，并以专业的形象及优质敬业的售后服务与客户一同成长。为了让业界更认识了解，冲成积极参与每一年度的半导体展。在SEMICON Taiwan 2011的「创新技术发表会」中，冲成将介绍ISIS之最新技术，主题为「Achieve All-In-One Measurement with Same Machine」，发表会时间为2011年9月7日12:30~13:00于3052摊位。冲成公司SEMICON Taiwan 2011摊位位于世贸一馆708。