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[导读]值此晶圆厂先进制程迈入20奈米以下的世代交替之际,让更高晶圆缺陷检测精准度与速度的电子束(e-beam)晶圆缺陷检视设备重要性剧增。也因此,科磊(KLA-Tencor)瞄准20奈米(nm)及以下制程节点发表eDR-7000,将为挹注2012

值此晶圆厂先进制程迈入20奈米以下的世代交替之际,让更高晶圆缺陷检测精准度与速度的电子束(e-beam)晶圆缺陷检视设备重要性剧增。也因此,科磊(KLA-Tencor)瞄准20奈米(nm)及以下制程节点发表eDR-7000,将为挹注2012年可观营收贡献的利器。

科磊行销长Brian Trafas(左)表示,相对于记忆体市场景气持续低迷,受惠于晶圆厂先进制程世代交替,将为晶圆缺陷检测系统带来更大的市场机会点。右为台湾分公司总经理张水荣
科磊行销长Brian Trafas表示,全球景气受到日本311强震、欧美债务危机及北美居高不下的失业率波及,消费性与个人电脑(PC)市场需求萎靡,冲击晶圆厂营收下滑,导致今年下半年至2012年景气仍未见明朗。晶圆厂为降低制造成本,朝20奈米以下制程推进已势在必行,将带来缺陷成像与分类的巨大挑战,亦将是科磊创造更高营收贡献的一大机会点。

有鉴于此,科磊已推出灵敏度高达±100奈米,可检视小至10奈米或位于沟槽或孔洞底部的缺陷,精准度较上一代eDR-5210高出30%,且每小时检测晶圆缺陷数量上看五千颗的电子束晶圆检测系统eDR-7000,比eDR-5210高二至三倍,以突破晶圆厂客户导入20奈米及以下制程面临的技术桎梏。

科磊电子束部门资深产品市场行销经理Christina Wang补充,该公司eDR-5210可侦测和拍摄面积达1.5微米(μ),已优于竞争对手,而eDR-7000更可缩小至1微米,竞争力更胜一筹。此外,eDR-7000解析度可达2.0奈米,与eDR-5210的1.8奈米相比,无论精确度与解析度都更为优异。

科磊台湾分公司总经理张水荣透露,事实上,eDR-7000在历经台湾晶圆厂达6个月的验证通过后,日前科磊已向该厂商交货,但直到近日才正式对外宣布推出。

张水荣谈到,台湾在科磊营收贡献占有举足轻重的地位,其中太阳能、发光二极体(LED)将为带动营收贡献成长的两大动能,2011年营收贡献比重已达7%。然现阶段,半导体制程控制与良率管理领域仍为科磊最大营收贡献来源,尤其是20奈米及以下的晶圆缺陷检测系统将是主力,其涵盖电子束晶圆缺陷检视设备、Surfscan SP3和即将推出的晶圆检测产品系列的其他产品。

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