看好行动装置热潮　台积电加码先进制程布局

台积电布局行动市场再下一城，除与安谋国际(ARM)联手透过最佳化28奈米新制程，打造出速度最快的应用处理器外，亦持续厚植20、14奈米技术实力，提出矽中介板(Silicon Interposer)及铜柱导线直连(Bump on Trace)两项封装技术，可大幅缩减系统单晶片成本及尺寸，满足行动装置日益严苛的低功耗与轻薄设计需求。

台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，三维(3D)IC将成时势所趋，台积电先进的封装技术将可满足其设计需求。
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，台积电与安谋国际长期合作甚笃，在40奈米ARM架构处理器方面，台积电更是最大的晶圆代工厂，而至于28奈米制程技术也已展现出领先全球的气势，并将原先28奈米高效能(HP)制程优化至兼具高效能与低功耗特性的28奈米HPM制程，进一步产出全球速度最快的ARM处理器。目前该款晶片的制程设计业已定案，将锁定更低功耗且占位面积更小的行动装置应用处理器市场。

张忠谋指出，遵循摩尔定律(Moore’s Law)的步调，半导体的20、14奈米等先进制程可望在2013～2015年迈开量产脚步。届时，周边封装技术必须符合电晶体密度更高、整体IC尺寸大幅缩减的设计，因此，台积电已着手布局前瞻性的技术，如可将八个动态随机存取记忆体(DRAM)整合置入一个中央处理器(CPU)的矽中介板技术，让原本需要九个封装的设计，减少至一个，进一步压低资料传输的功耗及SoC尺寸。

此外，台积电独特的铜柱导线直连封装解决方案，亦已通过可靠性认证。该技术可将大部分的圆型封装拉长成椭圆形，让整个封装面积变窄，进而以更高的密度来节省成本，同时缩小产品尺寸，对台积电未来开拓行动装置处理器业务而言，无疑再添一项利器。

另一方面，台积电企业讯息处处长孙又文也透露，台积电在BSI互补式金属氧化物半导体影像感测器(CMOS Image Sensor)制程技术上亦有进展，未来将可支援至1,600万画素，为智慧型手机、平板电脑的微型化镜头再添动能。

事实上，受到日震断链危机造成客户拉货力道过猛，导致第二季库存超量影响，第三季半导体景气已明显降温，故包括台积电、友达等大厂纷纷在先前举办的第二季法说会中，表示将以调控产能、出清存货为主要策略因应。也因此，台积电遂将资本支出重心放在20、14奈米先进制程技术，而暂缓产能步调，积极进行库存去化。