东芝启动NAND闪存新厂房Fab5，将成为后NAND存储器的主力工厂

竣工仪式的剪彩仪式（点击放大）

在竣工宴会上致辞的东芝佐佐木（点击放大）
东芝宣布，该公司在四日市工厂（三重县四日市市）内建设的NAND闪存新制造厂房“Fab5”已经竣工并投产。该厂房将成为24nm工艺以后的最尖端NAND闪存以及东芝定位为“后NAND存储器”的三维NAND闪存的主力工厂。该工厂已从2011年7月开始量产24nm工艺产品，从8月开始供货产品。生产设备投资为东芝的NAND闪存业务合作伙伴——美国晟碟（SanDisk）共同出资。出资比例为东芝50.1％，晟碟49.9％。

Fab5是继“Fab3”和“Fab4”之后在四日市工厂建成的第三条300mm晶圆生产线，于2010年7月开工建设。此次启动的是占Fab5整体1/2的“第1期”洁净室。在其中约一半（Fab5整体的1/4）的洁净室内搬入部分装置开始量产。今后，将根据市场动向追加投资，扩充产能。据介绍，第2期洁净室预定2013年度开工建设，2013年度底～2014年度投产。

东芝和晟碟于2011年7月12日在四日市工厂内举行了Fab5竣工仪式。在Fab5的竣工宴会上致辞的东芝代表执行董事社长佐佐木则夫强调了NAND闪存业务对该公司的重要性，“我们的成长支柱是半导体业务，一直以来投资最多的也是半导体”，他还表示，“我们计划将Fab5建成世界上最强大的存储器生产基地。向最尖端技术进行投资也是对东日本大地震复兴的支援”。晟碟公司总裁兼CEO桑贾·梅洛特（Sanjay Mehrotra）表示，“我们与东芝共同运营的四日市工厂目前已经成长为占全球NAND闪存bit供货量45％的工厂。Fab5是我们与东芝合作关系的新里程碑。我非常高兴在发生东日本大地震后我们仍能顺利投产”。东芝的佐佐木在竣工宴会之前接受了媒体采访，他表示将以Fab5为主力，“尽快在NAND闪存市场上夺取份额首位的宝座”。

东芝目前正量产NAND闪存的最尖端产品——24nm工艺产品。继24nm之后，已从2011年4月开始样品供货19nm工艺产品，并将从7月开始量产。此次投产的Fab5已开始量产24nm工艺产品，今后将逐渐过渡至19nm工艺以后的尖端工艺产品生产。

关于NAND闪存的微细化，东芝表示，继19nm之后，1Y（Y为8～5）nm工艺乃至下一代1Z（Z为4～0）nm工艺也有望实现实用化。另外，还计划与其同时推进后NAND存储器的实用化。该公司将三维层积存储器单元的三维NAND闪存作为其候补，其中将该公司的自主技术“BiCS作为最有力候补”（东芝执行董事常务、半导体＆存储器公司存储器业务部长成毛康雄）。关于后NAND存储器的量产时间，成毛康雄表示，“计划2013年量产”。

Fab5导入了与Fab3和Fab4厂房之间相互搬运晶圆的系统，构筑了一个高效率的生产体制。另外，通过导入LED照明产品和节能型生产设备等，将CO2排放量较Fab4削减了12％。此外，还具有免震构造和电压补偿装置。

继Fab5之后，“Fab6”目前“正考虑在哪里建设等问题。将在考虑（日本国内的）电力供给等问题的基础上，探讨Fab6的建设”（东芝的佐佐木）。（记者：大下 淳一）


在竣工宴会上致辞的东芝佐佐木（点击放大）

晟碟的梅洛特（点击放大）

竣工的Fab5第1期厂房 （点击放大）

东芝定于2011年7月开始量产的19nm工艺产品 （点击放大）