台积电将跟进三维晶体管新技术

英特尔昨（5）宣布完成芯片技术重大突破，将导入三维晶体管的芯片技术在22 纳米制程生产新款微处理器。台积电研发资深副总经理蒋尚义对此表示，在成本下降、上下游技术架构建立后，台积电即会导入三维晶体管。

2002年英特尔即投入三闸门（Tri Gate）的三维晶体管技术研发，经过多年的研究，日前终于突破技术瓶颈，预定在今年导入22纳米制程生产新款微处理器，且所产出的芯片，具备低电压及低耗电等特性。

由于英特尔发表的时间正是台积电举行年度的技术论坛之际，负责台积电先进制程技术研发的蒋尚义在向合作伙伴介绍台积电各制程进度时，也以英特尔这项成果，强调是「延伸」摩尔定律的一项重大突破。

摩尔定律是半导程制程演进的通则，每18个月，同样面积的晶体管密度就增加一倍，象征著成本可以下降三至五成。

蒋尚义强调，台积电很早投入这项技术研发，不过因台积电是提供晶圆代工服务，目前这项技术成本仍然相当昂贵，而且包括电子工程自动化（EDA）、制程设计套件及芯片验证等上下游技术架构建立还不够完善，台积电将不会在20纳米先进制程跟进采用这项技术，评估可能到14纳米才会导入。

蒋尚义强调，依照摩尔定律，若只单纯追求芯片微小化，不到几年，就会遭遇很大瓶颈。不过，透过系统微缩化，藉由新技术，可以达到晶圆微小化又能兼具高容量的要求，摩尔定律可由目前的28纳米再推进到7纳米。

他表示，台积电研发重心已移到20纳米制程，依照台积电技术蓝图，内部规划明年下半年进行20纳米制程试产。