台积电全速进军18英寸晶圆时代

在日前于美国加州举行的2011年台积电技术研讨会(Technology Symposium)上，该公司透露了更多有关18英寸晶圆制造计划的细节。根据业界消息，台积电正全速进军18英寸晶圆技术领域，主要目的除了降低制造成本，也试图借此领先诸如Globalfoundries、三星(Samsung)、联电(UMC)等竞争对手一步。

台积电进军18英寸晶圆技术领域还有另一个动机——根据该公司资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)的说法，一旦进入18英寸晶圆时代，该公司所需的工程师人数也将减少；他在接受EETimes访问时表示，台积电进入18英寸晶圆制造约需十年的过渡期，届时所需的工程师人数会比现在少7,000人。

蒋尚义指出，台积电进军18英寸晶圆制造有两个考量：首先，该公司认为随着时间推移，将越来越难招募到「好的工程师人才」；其次，台积电最后仅需要少数几座18英寸晶圆厂，就能在未来满足客户的需求。与12英寸晶圆厂相较，新一代晶圆尺寸整体生产力预计可增加1.8倍。晶圆厂变少，就不需要那么多工程师。

另一方面，台积电也预期将增加研发与资本支出，特别是在该公司持续致力于缩短制程技术学习曲线。而估计18英寸晶圆厂营运成本约需100亿美元，相关制程设备成本也将飙升。

蒋尚义表示，台积电的18英寸晶圆制造将起始于20纳米制程节点；该公司一开始打算在新竹的Fab12晶圆厂建置一条18英寸晶圆试产线、采用20纳米制程，时程大概在2013到2014年间。而届时台积电的12英寸晶圆厂也将进入20纳米制程；蒋尚义表示，该公司的20纳米制程初产事实上也将以12英寸晶圆厂为主。

接下来，台积电计划在台中建置首座18英寸晶圆厂，也就是Fab15，量产时程预定在2015到2016年之间。在起步阶段，该18英寸晶圆厂会采用20纳米制程，然后进入14纳米节点；而到14纳米节点，台积电打算在电晶体结构上进行转换。

在20纳米及以上节点，台积电将继续采用传统以bulk CMOS为基础的平面晶体管，但从14纳米节点开始，该公司将由bulk CMOS转向FinFET结构。也就是说，未来台积电将在Fab 15进行14纳米FinFET的量产。