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[导读]晶圆代工积极冲刺先进制程,并持续扩充12吋产能,2011年资本支出持续维持高档,根据国际半导体设备暨材料协会(SEMI)最新统计,台湾晶圆代工厂2011年前段制程设备投资将超越70亿美元,年成长14%,台湾仍将是全球最大半

晶圆代工积极冲刺先进制程,并持续扩充12吋产能,2011年资本支出持续维持高档,根据国际半导体设备暨材料协会(SEMI)最新统计,台湾晶圆代工厂2011年前段制程设备投资将超越70亿美元,年成长14%,台湾仍将是全球最大半导体设备市场。

2010年台积电与联电皆大幅提高资本支出,台积电全年资本支出高达59亿美元,联电亦达18亿美元,对于2011年资本支出计划都表示非常积极,台积电甚至会超过2011年水平;业界推估,台积电2011年资本支出上看65亿美元,联电则约15亿~18亿美元。

SEMI资深研究经理曾瑞榆指出,在制程技术升级和持续扩产的需求驱动下,晶圆厂支出在2011年将成长18.3%,2012年在成长9.5%;其中又以内存、晶圆代工和微处理器(MPU)支出最为明显。2011年晶圆厂投资中,建厂方面的支出将减少11%。

然相较于建厂支出的减少,2011年晶圆厂在制程相关设备的投资金额预估将提高23%,达到400亿美元,超越2007年的水平, 创下19年来的最高纪录。

在晶圆代工厂方面,曾瑞榆指出,2011年12吋晶圆产能将增加20%, 其中以台湾及南韩为最主要的驱动力。其中,台湾地区晶圆代工产能为全球之冠,2011年前段设备投资金额将由20! 10年的61.32亿美元,提升至70亿美元。

至于在内存厂方面,受到产业价格波动影响,DRAM市场较为疲弱,未来两年设备支出预估持平,而已NAND Flash相关投资为主要的成长力道。

2011年设备市场展望乐观,微影设备大厂艾司摩尔(ASML)也于9日宣布调升第4季接单金额预估值,由10月时预估的13亿欧元,提高到20亿欧元,主要由于内存厂对微影需求的减缓程度低于预期,加上NAND Flash与晶圆代工厂投资积极。

ASML也强调,这个金额并不包括最新进的极紫外光(EUV)微影机台,除NXE:3100六台设备订单在准备出货外,最新一代量= 型机台NXE:3300机台已接获9台订单,将于2012年陆续出货。

SEMI指出,2010年半导体设备市场将达375.4亿美元,年成长达136%,预估2011年将再成长8%,站上400亿美元大关,2012年也将有个位数成长幅度;然SEMI也指出,未来新厂需要18~24个月的规划、建置、设备装机、认证和试营运,若上线时间太慢,或无新晶圆厂出现,2014年恐怕会有产能不足的疑虑。



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