[导读]随着IC组件微缩、制程进入28奈米以下,半导体业者若能掌握微影技术主控权,就等于卡位先进制程领导地位,台积电未来研发重点放在28奈米以下,尤其为力拼20奈米制程,全力备妥战斗武器,台积电研究发展资深副总经理蒋
随着IC组件微缩、制程进入28奈米以下,半导体业者若能掌握微影技术主控权,就等于卡位先进制程领导地位,台积电未来研发重点放在28奈米以下,尤其为力拼20奈米制程,全力备妥战斗武器,台积电研究发展资深副总经理蒋尚义24日表示,预计第1台超紫外线(EUV)微影机台将于2011年到位,以配合2013年导入20奈米制程。
在摩尔定律所阐述IC制程缩微周期中,微影技术可说是具支配性的关键生产技术,随着IC组件制程进入28奈米以下开发,半导体业者若能掌握微影技术主控权,就等于卡位先进制程领导地位,近期包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)等均已成功利用EUV发展30及20奈米世代内存微影技术。
晶圆代工龙头厂台积电亦全力跨入EUV微影技术研发,取得ASML EUV微影设备,成为ASML全球6家取得这项设备客户伙伴之一。蒋尚义表示,台积电第1台EUV微影设备将于2011年到位,安装于台积电超大晶圆厂(GigaFab)Fab 12,用以发展新世代制程技术。台积电将成为全球首家可在自身晶圆厂发展EUV微影技术的专业晶圆代工业者。
蒋尚义指出,台积电2013年将会导入20奈米制程,并改采EUV微影设备,不? L,目前EUV微影机台问题在于每小时单位产出量太少,较缺乏竞争力,倘若EUV技术能够趋于成熟,拉高每小时单位产出量达到100片,届时使用EUV设备才会具有竞争力。
台积电2010年研发技术重点在于28奈米制程,对于22奈米以下市场亦积极卡位,希望能赢得更高市占率,针对目前量产中的40奈米,以及2010年底即将进行风险试产的28奈米,台积电均采用双重曝影浸润式微影技术,22奈米亦还不会使用EUV微影设备。
事实上,相较于现行浸润式微影技术以193奈米波长当作光源,EUV微影技术导入更短波长光源,将有机会降低生产成本,成为IC制造更先进技术世代一个有潜力的= 择,然因EUV设备十分昂贵,1部机台要价至少1亿美元起跳,相对应的光罩投资金额亦十分惊人,22奈米世代研发投资几乎是上一世代28奈米的1倍,因此,一旦EUV转为未来新世代制程重点发展方向,各家半导体厂口袋是否够深,将是一大考验。
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