灿芯半导体喜迎成立五周年，回顾里程碑

近日，灿芯半导体迎来了其5周岁的生日。2008年全球金融危机爆发，灿芯半导体知难而上在中国上海成立，面向全球客户，定位于提供90纳米以下的高端IC设计服务。

在过去5年里，灿芯半导体从成立之初的二十几名员工发展到现在的一百多人，业务范围从以中国大陆客户为主的ASIC设计服务，拓展到北美、日本、欧洲以及台湾地区。而经营项目亦由设计服务的本业，拓展到IP和SoC系统平台的设计开发和销售，除此之外，还提供测试程序开发和封装设计开发的一站式服务。5年来，灿芯半导体的设计水平在不断地提升，目前在SMIC 40纳米工艺上成功设计开发的项目数量已达到两位数，并有望在年底达成28纳米设计技术开发的突破。灿芯半导体的销售额在过去五年的年均复合增长率达40%以上，且屡创新高。

回顾灿芯半导体的里程碑，2008年第一颗90纳米芯片流片成功；2009年65纳米芯片验证成功；2010年中芯国际入股灿芯半导体，40纳米芯片开始流片；2011年台湾分公司成立，双核ARM Cortex A9测试芯片在中芯国际40纳米工艺线成功流片；2012年美国分公司成立，与Cadence合作推出DDR IP解决方案。5 年来灿芯半导体脚踏实地，一步一个脚印，不断在高端制程IP领域进行创新和持续投入，已拥有多款自有IP，技术实力和服务水平得到了业界的充分认可。

中芯国际首席执行官兼灿芯半导体董事长邱慈云博士指出：“灿芯半导体在5年的发展中，不断创新开发，有力地支持着中芯国际设计环境的改善，共同服务全球的客户。在未来的日子里，中芯国际将与灿芯半导体继续专注于先进工艺的稳步发展以及积极开拓，帮助中国乃至全球的客户实现共赢互利。”

“灿芯半导体经过5年不懈的耕耘， 特别是在IP与SoC开发上不断投入人力物力， 目前在技术突破、策略合作伙伴与客户三方面， 都取得丰硕的成果。 ”灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士表示: “在研发上，灿芯半导体的IP已涵盖基础元件以及许多常用的高速接口，并具有弹性的客制化能力。加上中芯国际的入股， 以及与世界一流IP公司的合作，SoC平台的速度与性能都不断创新， 已支持数家客户在先进工艺上进入量产，建立了完善的技术流程，赢得了良好的口碑。灿芯半导体将会更加努力，进一步支持我们的客户获取成功，迎来下一个更辉煌的5年。”