ARM总裁：Intel移动IC生产工艺技术不占优势

2012年10月24日：ARM总裁Warren East表示，“英特尔公司在移动IC的生产工艺上不占优势。”

“去年这个时候英特尔阵营为他们的制造优势做出很多噱头，”East说，“我们一直对此表示怀疑，因为ARM企业系统正研发28nm制程，而英特尔才进行32nm制程的开发,我没看到他们哪里更领先。”

此外，随着Foundries开发周期的缩短，开发速度的加快，英特尔将会发现移动工艺技术的发展将会超出他们的预料。

“我们支持所有的独立研发，”East说道，“包括TSMC20nm planarbulk CMOS和16nm FinFET，三星20nm planarbulk CMOS、14nm Fin FET和20nm planarbulkCMOS,以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm Fin FET。”

它使得ARM生态系统有一个庞大的工艺群可以选择。“我没有更好的方法判断哪个工艺比其他工艺更成功，”East说，“我们的方法与工艺无关。”

重要的是，Foundries的工艺与英特尔的方向在14nm制程相交轨。

14nm将是英特尔在更小节点的移动SOC的首要目标，他们或许会将之放到某个首次发布的新工艺IC中。

当问及Foundries是否准备推出下一代更小节点移动SOC，East回复说，”这也是我们想要从Foundries那知道的信息。“

Global Foundries打算在2014年批量制造14nm Fin FET，与英特尔开始生产14nm FinFET的计划处于同一时间。

事实上，GF的14nm工艺可能比英特尔的更小，Global Foundries的高级副总裁MojyChian说：“因为英特尔的术语库与开发界使用的术语库不匹配。比如，在back-endmetallisation方面英特尔的22nm制程与开发界的28nm制程，英特尔22nm制程的设计规则和间距与代工厂的28nm制程的差异。

意法半导体公司的技术总监Jean-Marc Chery指出，英特尔22nm制程的栅极长度实际是26nm。

此外，英特尔三角形散热片不具Fin FET工艺优势，落后于能优化FinFET晶体管的GF矩形散热片。

Chian说，移动SOC将放于在GF14NM FinFET节点的前面。自2009年以来GF一直与ARM合作优化其基于ARM的SOC工艺。

TSMC预计于明年底推出第一个16nm Fin FET工艺。该测试芯片将使用ARM64位V8处理器。

使用ARM处理器验证其16nm Fin FET工艺将给予TSMC基于ARM的SOC客户群极大信心。

当问及FinFET如何影响基于ARM的SOC时，East回答：“答案非常简单。问题是它是否在可接受成本范围内产生收益？你不能劳而不获。它的制造成本是多少？有多大产出呢？显而易见，这些都影响成本。”

当问及ARM推进服务器市场的进展状况时，East回复：“目前为止，进展良好。你现在可以购买使用了Calxeda芯片（基于ARM内核）的波士顿贻贝服务器。我们对这款产品非常看好。在计算机性能的稳定水平上，节能和节省空间的数据出人意料。”

“目前，服务器基于专为智能手机设计的CortexA9构架，”East补充道：“将应用A15的服务器会更胜一筹，我们为所发生的一切感到非常高兴。”

当问及上周五的大事件（即使用ARM构架处理器的Windows8将ARM版Windows笔记本电脑和平板电脑推出入店）时，East回答说：“这不会引起任何大的惊喜--它只是出现了而已。”

在第三季度闪亮出场获得营收增长18％和盈利增长22％的成就后，ARM期望看到第四季度也有骄人市场业绩。