台积电28nm技术再次推迟

台积电作为全球最大的集成电路制造公司，其工艺进展情况关系到无数半导体企业的产品发布时间和计划。但前段时间，台积电两位高管发表的声明，备受关注的28nm工艺再次推迟。

台积电CEO兼董事会主席张忠谋近日表示：“我们已经使用28nm工艺完成了89件不同产品的流片，每一个都按期实现。每次流片的首批硅片都拥有完整的功能，良品率也令人满意……不过因为2011年的经济形势和市场需求前景软化，28nm的投产所需时间比预期得更长。”

台积电CFO、高级副总裁何丽梅的说法也很相似：“28nm的推迟并非是因为质量问题，流片情况良好。推迟主要是因为我们的客户经济软化，并非在计划之中。28nm工艺今年第四季度在晶圆总收入中贡献的比例大约为1%。”

据了解，台积电一共开发了四种不同用途的28nm工艺，CLN28HPHKMG面向高性能产品、CLN28HPMHKMG面向移动计算产品、CLN28HPLHKMG面向低漏电率低功耗产品、CLN28LPSION面向低成本产品。其中前三项技术将采用High-k金属栅极技术，这项技术将有利于减少晶体管的漏电现象，降低芯片产品的功耗和发热并有助于提升频率。而代号为CLN28LPSION的低端产品则仍将采用传统的氮氧化硅(SiON)电介质多晶硅栅极进行制造，使之制造成本更加低廉。

虽然两位高管均表示28nm技术良率令人满意，但这一技术的一再推迟还是另众多厂商如坐针毡。去年，由于40nm工艺的良率一直不能令人满意，很多芯片厂商的毛利率和产品发布都受到了不同程度的影响，但愿这一情况不会在28nm工艺上重演，这对于参与流片的89个芯片产品以及持观望态度的其他厂家来说非常重要。