英特尔三门晶体管开启高能效表现新时代

      英特尔透露，英特尔的研究人员开发出一种新技术，它将在高能效表现方面进一步加强英特尔的领导地位。英特尔对新型的三门（或称三维）晶体管的研发已经进入到针对量产的研发阶段。由于这些晶体管大大提升了传统晶体管的性能和能效，英特尔预计，在超越了45纳米制程技术之后的某个时间，三门晶体管技术可能成为未来微处理器的基本建筑模块。 　
 
      自从20世纪50年代晚期，半导体产业迎来它的朝阳之后，平面型晶体管就被认为是芯片的基本建筑模块。随着半导体技术发展到纳米技术的纵深领域（尺寸小于100纳米），一些晶体管的尺寸甚至只有几层原子那么大，以前被认为只能做成“平面”的器件，现在可以设计成三维的，从而提高性能表现和功耗特性。英特尔在大批量生产更小尺寸的芯片方面一直是行业的领导者，现在英特尔又发明了一种方法，把这些三维的或曰三门的晶体管与其他关键的半导体技术结合起来，从而开启了高能效表现的一个新时代。  

       在英特尔未来的高能效表现方面，三门晶体管很可能会扮演一个至关重要的角色，因为三门晶体管相比现在的平面型晶体管，不仅渗漏低得多，而且消耗的电能也会少得多。比起现在的65纳米晶体管，集成的三门晶体管可以提升45%的驱动电流（开关速度）或者使关电流减小50倍，并使晶体管的开关电能减少35%。性能的提升和功耗的减少，将使用户在使用英特尔平台的个人电脑和其他设备时，获得更好的体验。

      在6月13日夏威夷火奴鲁鲁举行的2006年超大规模集成电路技术研讨会上，英特尔的技术专家将陈述一篇关于此项研究的技术论文。