三星使用V-NAND技术加大固态硬盘存储能力

5月30日消息，据国外媒体报道，三星使用最新存储技术加大了新的1TB固态硬盘的存储能力。该固态硬盘主要面向高端个人电脑，采用三星第二代V-NAND技术。这项技术使得储存芯片可以垂直叠放。

三星同时发布了128GB, 256GB和 512GB的固态硬盘。在手提电脑上，1TB的固态硬盘存储量还可以少量增加，目前可以最多增加512G的容量。三星表示，相比储存模块并列设置的旧NAND固态硬盘，新固态硬盘的数据写入耐久性是原来的两倍，并且效率比原来的增加了20%

由于三星仍在改进V-NAND技术，并希望在固态硬盘中叠置32个NAND储存层，目前该固态硬盘的价格尚不可知。

去年发布的第一代V-NAND叠置了24个储存层。储存层之间通过专有方式连接和传输数据。这种储存芯片叠置的方式已经在内存芯片和单芯片系统设备上使用过。

储存芯片垂直重叠的新方式使储存设备体积更小、功效更强。三星公司表示今年晚些时候将会发布基于V-NAND研发的更为可靠的储存设备。