应用材料发布Centura

应用材料(Applied Materials)在Semicon West发布了一套新系统，用以制备晶体管最关键的一层，这种晶体管见于逻辑电路。

应用材料的新工具Centura，用在晶体管上沉积关键的一层，一次只沉积一个原子，这就带来了前所未有的精度。

由于芯片制造商使管达到越来越小的尺度，带来了更快、更节能的电子产品，原子尺度的制造精度就日益受到关注。这第一款芯片的晶体管只有22纳米大小，将在今年投产，在这一尺度，即使是最微小的不协调，也意味着本来要高价出售的一个芯片，不得不用于低端电子装置。

晶体管是由多层构成：活跃的硅材料上面是一个接口层，随后的一层材料称为电介质(dielectric)，这构成“开关门”，切换晶体管的开启和关闭。

应用材料公司销售的设备，用于沉积这些层，称为闸极堆叠(gate stack)，就在硅片上。从今天的32纳米，转换到下一代的22纳米晶体管，更为棘手的是制造栅极。接口层和介电层都必须越来越薄，各层的性能都会受到微小缺陷的影响，这些缺陷在材料连接之处。因为各层变得越来越薄，微小的缺陷会被放大，甚至超过较大的晶体管，这种较大的晶体管由较厚的层制成。

制造精度会更重要，芯片制造商英特尔公司将开始生产下一代三维晶体管，就在今年晚些时候。在这些设备中，活跃区是一个凸起带，三面连接着接口和栅极层。这增加了接触面积，有助于这些设备发挥更好的性能，但同时也意味着更容易受缺陷影响。

Centura使用原子层沉积(ALD：atomic-layer deposition)，或ALD，就是一次只沉积一个单层原子的介质。这种方法比较昂贵，但已经变得必不可少，应用材料ALD分部全球产品经理Atif Noori说，要让晶体管的心脏也就是栅极工作，“你就要确保把所有的原子放在你想要放的地方。”

微晶片不协调，原因之一是因为暴露在空气中。在应用材料公司的新工具中，沉积闸极堆叠的整个过程都是在真空中进行，一次一个晶圆。在完全真空状态制造闸极堆叠，可使电子通过晶体管的速度提高5%至10%，这可以转化为节能或更快的处理。通常情况下，开启芯片上给定晶体管所需的耗电量，会有显著变化;真空状态下制造，会限制配电20%至40%。