联华电子与ARM扩展28纳米硅智财合作

联华电子与ARM日前共同宣布，协议将在联华电子28纳米高效能低功耗(HLP)制程上，提供ARM Artisan物理IP平台与POP IP。

为了支持各种不同的消费电子产品客户，诸如智能手机、平板电脑、无线通信与数字家庭等，联华电子与ARM签署了此份协议，将提供先进制程以及完整的物理IP平台。

联华电子负责硅智财与设计支持的简山杰副总表示：「联华电子秉持着“United for Excellence”追求卓越的精神，与硅智财供货商密切合作，提供优质设计支持解决方案给我们的晶圆专工客户。联华电子28纳米的双制程技术蓝图，同时包含了Poly SiON与HKMG技术，就功耗、效能与面积而言，28HLP是业界最具竞争力的28纳米Poly SiON制程技术，完善的设计平台可协助我们移动与通讯产品客户，加速其产品上市时程。此次欣见联华电子与ARM扩大了合作范畴，纳入高度普及的ARM POP IP核心硬化加速技术，藉此将可进一步地强化本公司28HLP平台。」

高效节能的ARM Cortex-A7处理器现已广获智能手机、平板电脑、数字电视与其他消费电子产品所采用。结合POP IP 所优化的Cortex-A7处理器, 在联华电子28HLP制程平台的目标效能可达1.2GHz，已于2013年12月推出。

联华电子28HLP制程系优化的28纳米Poly-SiON技术，可提供面积，速度与漏电流之间最佳的平衡。因而此制程成为各种需兼顾低功耗与高效能应用产品的理想选择，例如可携式、无线局域网络及消费性手持产品等。此28HLP制程目前已在客户产品试产阶段，预计于2014年初开始量产。

「透过与联华电子的紧密合作，ARM物理IP与POP IP将可促进优化的系统单芯片实作，并简化设计流程，使得双方客户能够快速地实现芯片产品。」ARM执行副总兼物理IP部门总经理Dipesh Patel表示，「ARM的标准cell、次世代内存编译器及POP IP，可完全满足联华电子客户对于功能、质量与硅验证上的严格要求，同时也将延续本公司在提供晶圆专工领导者最佳物理IP平台上的承诺。」